Поведение сильных и слабых однокислотных оснований в водных растворах.

1. Сильные однокислотные основания(МОН) диссоциируют в водных растворах нацело (α = 1) и рН в растворах таких оснований определяется исходной концентрацией основания С(МОН):

МОН → М⁺ + ОН^-

и

Сильными однокислотными основаниями являются гидроксиды щелочных металлов – LiOH, NaOH, KOH. Например, в 0,1 М растворе NaOH:

NaOH → Na⁺ + OH^- и рОН = -lgC(NaOH) = -lg0,1 = 1 и рН = 14 - 1 = 13

2. Слабые однокислотные основания(ВОН) диссоциируют в водных растворах частично и при этом устанавливается динамическое химическое равновесие: ВОН ↔ В⁺ + ОН^-, которое характеризуется соответствующей константой равновесия – константой основной диссоциации K_b:

При условии, что и , имеем:

Где - исходная концентрация основания в растворе.

Константа основной диссоциации K_b (или ее показатель pK_b = -lgK_b) характеризует силу основания – чем меньше значение K_b (больше pK_b), тем слабее основание, и наоборот. Например, анилин (K_b = 4,3∙10^-10, рK_b = 9,37) слабее, чем аммиак (K_b = 1,75∙10^-5, рK_b = 4,75).

Если степень диссоциации α < 0,1, величиной в знаменателе можно пренебречь, тогда:

и

Степень диссоциации слабого основания следует рассчитывать в соответствии с определением данной величины:

Примерами слабых однокислотных оснований являются AgOH, CuOH, NH₄OH (водный раствор аммиака, NH₃∙H₂O), водные растворы анилина (C₆H₅NH₂) и других органических аминов. Например, для 0,1 М раствора NH₄OН:

NH₄OH ↔ NH₄⁺ + OH^-

моль/л

При этом и степень диссоциации основания