Дефекты в кристаллах.

 


Тот правильный порядок в кристаллах, о котором говорилось ранее, существует лишь в очень малых объемах реальных кристаллов. В них обязательно присутствуют те или иные искажения, то есть отклонения от упорядоченного расположения в узлах решетки, которые называются дефектами. Дефекты делятся на макроскопические, возникающие в процессе образования и роста кристаллов (например, трещины, поры, инородные макроскопические включения), и микроскопические, обусловленные микроскопическими отклонениями от периодичности.

Микродефекты делятся на точечные и линейные. Точечные дефекты бывают трех типов (рис. 9.16):

1) вакансия – отсутствие атома в узле кристаллической решетки (рис. 9.16, a) (дефект по Шоттки);

2) междоузельный атом – атом, внедрившийся в междоузельное пространство (рис. 9.16, б) ( дефект по Френкелю);

3) примесный атом – атом примеси, либо замещающий атом основного вещества в кристаллической решетке (рис.9.16. в), либо внедрившийся в междоузельное пространство (примесь внедрения, рис. 9.16, б; только в междоузлии вместо атома основного вещества располагается атом примеси). Точечные дефекты нарушают лишь ближний порядок в кристаллах, не затрагивая дальнего порядка, – в этом состоит их характерная особенность.

Линейные дефекты нарушают дальний порядок. Как следует из опытов, механические свойства кристаллов в значительной степени определяются дефектами особого вида – дислокациями.Дислокации – линейные дефекты, нарушающие правильное чередование атомных плоскостей.

Дислокации бывают краевые и винтовые. Если одна из атомных плоскостей обрывается внутри кристалла, то край этой плоскости образует краевую дислокацию. В случае винтовой дислокации ни одна из атомных плоскостей внутри кристалла не обрывается, а сами плоскости лишь приблизительно параллельны и смыкаются друг с другом так, что фактически кристалл состоит из одной атомной плоскости, изогнутой по винтовой поверхности.

Плотность дислокаций (число дислокаций, приходящихся на единицу площади поверхности кристалла) для совершенных монокристаллов составляет 102–103см2, для деформированных кристаллов – 1010 –1012 см2. Дислокации никогда не обрываются, они либо выходят на поверхность, либо разветвляются, поэтому в реальном кристалле образуются плоские или пространственные сетки дислокаций. Дислокации и их движение можно наблюдать с помощью электронного микроскопа, а также методом избирательного травления – в местах выхода дислокации на поверхность возникают ямки травления (интенсивное разрушение кристалла под действием реагента), «проявляющие» дислокации.

Наличие дефектов, особенно при внедрении атомов, приводит к изменению физических свойств, например электропроводности.

 






Дата добавления: 2016-12-09; просмотров: 1005; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2022 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.015 сек.