Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.

На рисунке 3.12. изобразим схему полупроводникового диода с составными термоэлектрическими потенциалами.

Рис. 3.12. Представление полупроводникового диода как системы из двух сред с двумя составными термоэлектрическими потенциалами. На рисунке обозначены: А – анод, К – катод, T_F – тепловое напряжение (температура) преимущественного перемещения электронов из зоны N в зону P, которое не зависит от Ia.

∆F_K - составной термоэлектрический потенциал катода.

∆F_A - составной термоэлектрический потенциал анода.

Напишем формулы для составных термоэлектрических потенциалов.

(3.3.4.,01)

Формула (3.3.4.,01) характеризует поток энергии 4-го уровня в

PN-переходе.

(3.3.4.,02)

Теперь опишем сами потенциалы:

(3.3.4.,03)

(3.3.4.,04)

Отсюда можно вычислить:

(3.3.4.,05)

Если учесть

(3.3.1.,08)

то,

(3.3.4.,06)

Мы получили эмиссионное уравнение (3.3.1.,01).

Таким образом, с помощью определения составных термоэлектрических потенциалов, можно делать расчёты вольт-амперных характеристик электронных приборов.