ОСНОВЫ ТЕОРИИ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ
1.1 Классификация
В зависимости от схемотехники логического элемента (ЛЭ) современные цифровые микросхемы можно разделить на следующие типы:
ТТЛ– транзисторно-транзисторная логика (универсальная);
ТТЛШ – транзисторно-транзисторная логика с диодами Шоттки;
КМОП – с комплементарными МОП-транзисторами;
ЭСЛ – эмиттерно-связанная логика;
МСХ на основе арсенида галлия.
По принципу построения активного элемента интегральные схемы (ИС) делятся на биполярные и полевые, по способу передачи информации – на синхронные и асинхронные, по типу информационных сигналов – потенциальные (основной тип), импульсные и импульсно-потенциальные.
По технологическим, схемотехническим и конструктивным признакам ИС выпускается сериями. Серия – это совокупность ИС различного функционального назначения, имеющих общие электрические и эксплуатационные характеристики, выполненные по единой технологии, объединенных одним конструктивным решением (вид корпуса).
По функциональному назначению в цифровых ИС выделяют следующие устройства.
Логические элементы – это ИС, реализующие базовые логические функции НЕ, И, ИЛИ и их комбинации И-НЕ, ИЛИ-НЕ, И-ИЛИ-НЕ. Часть ЛЭ, помимо логических операций, выполняет функции усилителей мощности.
Драйверы. Драйверами принято считать ИС с повышенной нагрузочной способностью, основным назначением которых является организация связи с периферийными устройствами.
Шифраторы. Назначение шифратора – преобразование входного унитарного кода в натуральный двоичный.
Дешифраторы выполняют функции обратные шифраторам, т.е. преобразуют двоичный код в унитарный. К специальным дешифраторам относятся преобразователи двоичного кода в коды управления знакосинтезирующими индикаторами.
Мультиплексоры направляют один из m входных сигналов на - один выход.
Демультиплексоры решают обратную задачу – направляют один входной сигнал в один из m - выходных каналов.
Арифметическими устройствами являются сумматоры двоичных чисел, умножители двоичных чисел, АЛУ – арифметическо-логические устройства, схемы контроля четности, преобразователи двоичных кодов, цифровые компараторы (устройства сравнения двоичных чисел).
Триггеры – устройства последовательного типа, служащие для запоминания логических состояний.
Регистры. Регистром называется триггерная линейка, служащая для записи, хранения, сдвига и вывода информации.
Счетчики числа импульсов – суммирующие, вычитающие, реверсивные. Счетчики могут выполнять роль программируемых делителей частоты.
Релаксационные устройства – типа мультивибраторов и одновибраторов.
Запоминающие устройства предназначены для записи, хранения и выдачи информации.
Степень интеграции (показатель сложности) ИС оценивается числом элементов, размещенных на одном кристалле или подложке:
− малая интегральная схема (МИС) …….……. до 100;
− средняя интегральная схема (СИС)……... 101 –1000;
− большая интегральная схема (БИС) …..1001 – 10000;
− сверхбольшая интегральная схема (СБИС)…..свыше 100000.
1.2 Система обозначений ИС
Условное обозначение ИС состоит из четырех основных цифро-буквенных элементов (рисунок 1.1).
Первый элемент – цифра, обозначающая конструкторско - технологическую группу. Таких групп три: группа полупроводниковых ИС имеет обозначение 1, 5, 7; группа гибридных ИС – 2, 4, 8 и прочие – 3.
Рисунок 1.1 – Пример условного обозначения интегральных схем
Второй элемент (две - три цифры) обозначает порядковый номер серии.
Третий элемент состоит из двух букв, определяющих функциональное назначение ИС. Первая из букв определяет принадлежность ИС к конкретной группе, а вторая – к виду.
Четвертый элемент – это порядковый номер разработки ИС данного функционального типа.
Первый и второй элементы совместно характеризуют конструкцию корпуса ИС:
Р, А – пластмассовый;
Е – металлополимерный;
И – стеклокерамический.
Деление ИС на подгруппы и виды по функциональному назначению приведено в таблице 1.1.
Для ИС коммерческого применения условное обозначение начинается с буквы К, а в экспортном варианте с букв ЭК. После условного номера разработки ИС по функциональному признаку может быть приставлена буква А, Б, В..., указывающая на отличие в электрических параметрах микросхем, имеющих одинаковое функциональное обозначение.
Таблица 1 − Подгруппы и виды ИС
Подгруппа | Вид | ||
А Фомирователи | Импульсов прямоугольной формы Импульсов специальной формы Прочие | АГ АФ АП | |
И Схемы цифровых устройств | Регистры Сумматоры Счетчики Шифраторы Дешифраторы Комбинированные Арифметическо-логические устройства Прочие | ИР ИМ ИЕ ИВ ИД ИК ИА ИП | |
Л Логические элементы | Элемент И Элемент НЕ Элемент ИЛИ Элемент И-НЕ Элемент ИЛИ-НЕ Элемент И-ИЛИ Элемент И-НЕ/ИЛИ-НЕ Элемент И-ИЛИ-НЕ Элемент И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ Элемент ИЛИ-НЕ/ИЛИ Расширители Прочие | ЛИ ЛН ЛЛ ЛА ЛЕ ЛС ЛБ ЛР ЛК ЛМ ЛД ЛП | |
Т Триггеры | Типа JK Типа RS Типа D Счетные типа Т Динамические Шмитта Комбинированные Прочие | ТВ ТР ТМ ТТ ТД ТЛ ТК ТП | |
В Вычислительные средства | Микропроцессоры Схемы сопряжения с магистралью | ВМ ВА | |
П Преобразователи сигналов | Уровня Аналого-цифровые Цифро-аналоговые Код-код Синтезаторы частот Делители частоты цифровые | ПУ ПВ ПА ПР ПЛ ПЦ |
1.3 Основные характеристики логических элементов
Основной статической характеристикой ЛЭ является передаточная характеристика – зависимость выходного напряжения UВЫХ от напряжения на одном из входов при постоянных напряжениях на остальных, равных U0 или U1. По виду передаточной характеристики различают инвертирующие (рисунок 1.2, а)и неинвертирующие ЛЭ (рисунок 1.2, б). Передаточные характеристики имеют три четко выраженных участка. Участок 1 – состояние низкого выходного напряжения UВЫХ, соответствующего уровню лог. 0 или U0, участок 2 – состояние UВЫХ = U1 или лог.1. Участок 3 – это переход из одного состояния в другое: U1 – U0, U0 – U1. Границы участков определяются точками единичного усиления ( ). Входные напряжения, определяющие границы участков, называются порогами переключения U0П и U1П. Разность напряжений лог.1 и лог.0 называют логическим перепадом UЛП = U1 – U0.
Помехоустойчивостьопределяет допустимое напряжение помех на входах микросхемы и непосредственно связана с ее передаточной характеристикой. В зависимости от длительности помехи различают статическую и динамическую помехоустойчивость. Если на входе действует низкое напряжение U0, то опасны помехи, имеющие положительную полярность, так как они повышают входное напряжение.
Рисунок 1.2 – Передаточные характеристики ЛЭ:
а − инвертирующие; б − неинвертирующие
При этом рабочая точка на передаточной характеристике может сместиться в область переключения, что приведет к сбою в работе. Максимально допустимое постоянное напряжение положительной помехи можно определить по передаточной характеристике как U0ПОМ = U0П – U0. Если на входе действует высокое напряжение U1, то опасна помеха отрицательной полярности, понижающая уровень входного напряжения. Максимальное значение помехи по высокому уровню U1ПОМ = U1–U1П. Статическая помехоустойчивость служит основным показателем защищенности микросхемы от помех. Динамическая помехоустойчивость выше статической, так как при кратковременных помехах сказываются паразитные емкости и инерционные процессы в микросхемах.
Входная характеристика – это зависимость входного тока IВХ от напряжения на входе при постоянных напряжениях на остальных входах. Для ЛЭ на биполярных транзисторах по этой характеристике определяют входные токи для низкого и высокого уровня входного напряжения. При UВХ = U0 ток вытекает из данного входа и I0ВХ ≤ 0, при UВХ = U1 ток втекает в этот вход I1ВХ ≥ 0.
Выходная характеристика – это зависимость выходного напряжения от тока нагрузки IВЫХ. Определяется также для низкого уровня напряжения на выходе U0ВЫХ = f (I0ВЫХ) и для высокого – U1ВЫХ = f (I1ВЫХ), где I0ВЫХ и I1ВЫХ – выходные токи низкого и высокого уровней.
Нагрузочную способность характеризует коэффициент разветвления на выходе КРАЗ. Этот параметр определяет максимальное число ЛЭ, аналогичных рассматриваемому, которые одновременно можно подключить к его выходу. Увеличение нагрузочной способности ограниченно, поскольку с ростом числа нагрузок снижаются помехоустойчивость и быстродействие.
Коэффициент объединения по входу КОБ определяется числом входов ЛЭ. Логические элементы массового производства выпускаются с 2, 3, 4 и 8 входами. Если возникает необходимость в увеличении числа входов, то следует использовать несколько однотипных ЛЭ, соединяя их с учетом законов булевой алгебры.
Потребляемая мощность ЛЭ оценивается как средняя потребляемая мощность в статическом режиме:
РСР = 0,5 ЕП ( I0И.П + I1И.П),
где I0И.П и I1И.П – ток, потребляемый от источника питания;
ЕП – напряжение источника питания.
Мощность, потребляемую дополнительно в процессе переключения, называют динамической. Она пропорциональна частоте переключения ЛЭ, в связи с чем ее определяют при заданной рабочей частоте, близкой к максимальной. Для оценки временных свойств микросхем существует несколько параметров. Быстродействие ЛЭ оценивают средним временем задержки распространения сигнала tЗД.СР, определяющим среднее время задержки выполнения логической операции:
tЗД.СР = 0,5 (t0,1ЗД + t1,0ЗД),
где t0,1ЗД, t1,0ЗД – времена задержки распространения сигнала при переходах U0/ U1 и U1 / U0, соответственно.
Значение задержки распространения оценивается, как правило, на уровне 0,5 от напряжения логического перепада UЛП (рисунок 1.3). Иногда оценку ведут по времени задержки включения и выключения, которые измеряются на уровнях 0,1 или 0,9 от логического перепада UЛП. Оценку быстродействия последовательных устройств (триггеров, счетчиков, регистров) ведут по максимальной частоте переключения, времени задержки распространения управляющих сигналов и некоторых других. Уменьшить время задержки ЛЭ в определенных пределах можно путем увеличения тока, потребляемого от источника питания, так как при этом уменьшаются времена перезаряда паразитных емкостей. Поэтому существует обратная связь между временем задержки и потребляемой мощностью: чем больше потребляемый ток, тем меньше средняя задержка. Для сравнения по быстродействию ЛЭ различных типов используют параметр, называемый энергией (работой) переключения: А = РСР tЗД.СР. Для большинства серий цифровых микросхем энергия переключения находиться в пределах 1¸500 п×Дж для устройств малой средней степени интеграции и 0.1¸1 п×Дж для ЛЭ в БИС и СБИС. К прочим показателям можно отнести надежность и стойкость микросхем к механическим и климатическим воздействиям. Эти показатели у интегральных микросхем исключительно высокие.
а − входной импульс; б − выходной импульс с инверсией
Рисунок 1.3 – Оценка задержки сигналов
Вероятность безотказной работы за 15000 часов может составить 99,8 %. МСХ могут работать при больших механических нагрузках (вибрации, удары ...) в широком температурном диапазоне (от –10 до +70 0С для МСХ широкого применения и от – 60 до + 120 0С – специального) и высокой влажности.
Дата добавления: 2020-03-17; просмотров: 716;