Обратная ветвь ВАХ р-n-перехода

Ранее было отмечено, что обратный ток р-n-перехода в рассматриваемой модели определяется током J_S(6.8):

J_S = . (6.10)

Для простоты у маломощных кремниевых диодах принимают значение J_S » 10^-15А, которое в дальнейшем будет использоваться при проведении оценок.

Для Ge диода J_S » 10^-10А.

Видно, что J_S зависит от температуры, так как :

.Обычно зависимость J_S(T) характеризуют так называемой температурой удвоения T*, то есть таким приращением температуры, при котором ток J_Sвозрастает в два раза., Для Si T* » 5 ^оС.

Одним из важных параметров диода является дифференциальное сопротивление. обратно смещенного р-n-перехода.

r_д = ≈ ∞ ,

В реальных диодах r_д > 1 МОм.

Реальный обратный ток р-n-перехода может значительно превышать величину J_S. Причина этому генерация электронно-дырочных пар в области обратно смещенного перехода. Составляющую обратного тока, обусловленную этим явлением называют током термогенерации и обозначают J_G.

Поскольку ток J_G ~ n_i, а не n_i², как J_S, то температура удвоения тока термогенерации для Si T* » 10 ^оС.