Прямая ветвь ВАХ р-n-перехода

При напряжениях V > 0 зависимость J(V) настолько крутая, что получить на опыте требуемый ток через переход, задавая на нем напряжение, очень трудно: малейшие изменения напряжения вызывают существенные изменения тока. Поэтому для р-n-переходов и, соответственно, диодов характерен режим заданного прямого тока. Чтобы исследовать зависимость V(J), запишем ВАХ в следующей форме:

V= ,

Для большинства практических применений прямой ток через диод находится в пределах от 10^-4А до 0,1А. Прямое напряжение V для Si диода в этом случае лежит в пределах от 0,65В до 0,83В. Поэтому для нормального токового режима принимают, что падение напряжения на Si р-n-переходе примерно составляет 0,7В. Это напряжение обозначают как V* и называют напряжением открытого перехода.

Для Ge диода с много большим током J_S напряжение открытого перехода принимают равным 0,3В.

Температурная зависимость V* для кремния

» - 2 мВ^оС .

Линейность в диапазоне температур -50⁰С – +150⁰ С

Дифференциальное сопротивление перехода С учетом того, что J >> J_S:

r_д = = .

С достаточной для практики точностью r_д можно рассчитать по

r_д= [Ом].

При J = 1 мА rд = 25 Ом.