Полупроводниковые элементы, используемые в системах электропривода

В системах электропривода нашли широкое применение три типа полупроводниковых элементов: диоды, тиристоры и транзисторы.

Диод – пассивный полупроводниковый элемент, обладающий односторонней проводимостью. Может находиться в двух состояниях: открытом (состояние высокой проводимости) и закрытом (состояние низкой проводимости). Перевод диода в состояние высокой проводимости осуществляется приложением к аноду отрицательного потенциала относительно катода. Обратный перевод осуществляется приложением обратного напряжения.

Рис.6. Изображение диода

Тиристор – активный полупроводниковый элемент, обладающий односторонней проводимостью. Перевод тиристора в состояние высокой проводимости осуществляется подачей импульса напряжения на управляющий электрод. Обратный перевод осуществляется аналогично диоду.

Рис.7. Изображение тиристора

В современной технике используются запираемые тиристоры (GTO - Gate Turn Off) и запираемые тиристоры с интегрированным блоком управления (драйвером) (англ. Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT)). Запирание таких тиристоров производится подачей импульса обратного напряжения на управляющий электрод.

Транзистор – полупроводниковый усилительный элемент. Бывают биполярные (рис.8а) и полевые (рис.8б) транзисторы.

Рис.8. Биполярный (а) и полевой (б) транзисторы

Б – база, К– коллектор, Э – эмиттер, З – затвор, С – сток, И – исток.

Применительно к полупроводниковым преобразователям транзисторы используются как управляемые ключи односторонней проводимости. В современной технике чаще применяют IGBT (insulated gate bipolar transistor – биполярный транзистор с изолированным затвором) и MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor – в отечественной маркировке МОП – метал-оксид-полупроводник). Основное эксплуатационное отличие биполярных транзисторов от полевых – перевод в открытое состояние (биполярные открываются током, полевые - напряжением).