Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов

<36 37 383940 41 42 >

В таблице 4.3 приведены типовые параметры полупроводниковых источников света.

Таблица 4.3 – Технические характеристики полупроводниковых источников света

Параметр

СИД

Лазеры

Поверхностные

Суперлюминесцентные

Потребляемая мощность, мВт

75-750

15-600

Пороговый ток накачки, мА

5-250

Рабочий ток накачки, мА

50-300

10-300

Выходная мощность излучения в непрерывном режиме, мВт

1-10

1-50

Яркость, Вт/ср*см²

10-100

10³

10⁵

Мощность, вводимая в многомодовый световод, мВт

0,05-0,5

0,1-1

0,5-15

Ширина спектра излучения, нм

30-50

3-5

2*10⁴-3

Центральная длина волны излучения, мкм

0,8

0,9

1 - 1,6

Температурная нестабильность центральной длины волны, нм/К

0,3

0,01-0,3

Ширина полосы частот модуляции по уровню - 3 дБ, МГц

500-5000

Нелинейность ватт-амперной характеристики, %

0,3-3

0,3-30

Срок службы, ч

10⁴-10⁷

10⁴-10⁶

10³-10⁵

Степень сложности

От низкой до средней

Средняя

Высокая

Стоимость

От низкой до средней

Средняя

От средней до высокой

Приведенный анализ показывает, что полупроводниковые источники излучения отвечают большинству требований, предъявляемых к таким приборам в световодных системах связи и световодных измерительных системах. Светоизлучающие диоды являются наиболее подходящими источниками для амплитудных ВОЛ и низкоскоростных систем передачи информации с использованием многомодовых волоконных световодов. Примерные представления о границе перехода от использования СИД к использованию лазеров в системах на многомодовых волокнах дают графики зависимостей длины ретрансляционного участка от скорости передачи информации при использовании этих излучателей, приведенные на рис. 4.26.

Зависимость длины регенерационного участка L от скорости передачи информации N для ступенчатого световода с затуханием 5 дБ/км для l = 0,85 мкм: 1 – для лазерного диода (спад характеристики на участке ВС обусловлен межмодовой дисперсией); 2 – для светоизлучающего диода (спад характеристики обусловлен на участке ЕF широким спектром диода, на участке FG - дополнительно спадом частотной характеристики).