Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов


В таблице 4.3 приведены типовые параметры полупроводниковых источников света.

 

Таблица 4.3 – Технические характеристики полупроводниковых источников света

Параметр СИД Лазеры
Поверхностные Суперлюминесцентные
Потребляемая мощность, мВт 75-750 75-750 15-600
 
Пороговый ток накачки, мА

 - - 5-250
Рабочий ток накачки, мА 50-300 50-300 10-300
Выходная мощность излучения в непрерывном режиме, мВт 1-10 1-10 1-50
Яркость, Вт/ср*см2 10-100 103 105
Мощность, вводимая в многомодовый световод, мВт 0,05-0,5 0,1-1 0,5-15
Ширина спектра излучения, нм 30-50 3-5 2*104-3
Центральная длина волны излучения, мкм 0,8 0,9 1 - 1,6
Температурная нестабильность центральной длины волны, нм/К 0,3 0,3 0,01-0,3
Ширина полосы частот модуляции по уровню - 3 дБ, МГц 500-5000
Нелинейность ватт-амперной характеристики, % 0,3-3 0,3-30
Срок службы, ч 104-107 104-106 103-105
Степень сложности От низкой до средней Средняя Высокая
Стоимость От низкой до средней Средняя От средней до высокой

 

Приведенный анализ показывает, что полупроводниковые источники излучения отвечают большинству требований, предъявляемых к таким приборам в световодных системах связи и световодных измерительных системах. Светоизлучающие диоды являются наиболее подходящими источниками для амплитудных ВОЛ и низкоскоростных систем передачи информации с использованием многомодовых волоконных световодов. Примерные представления о границе перехода от использования СИД к использованию лазеров в системах на многомодовых волокнах дают графики зависимостей длины ретрансляционного участка от скорости передачи информации при использовании этих излучателей, приведенные на рис. 4.26.

Зависимость длины регенерационного участка L от скорости передачи информации N для ступенчатого световода с затуханием 5 дБ/км для l = 0,85 мкм: 1 – для лазерного диода (спад характеристики на участке ВС обусловлен межмодовой дисперсией); 2 – для светоизлучающего диода (спад характеристики обусловлен на участке ЕF широким спектром диода, на участке FG - дополнительно спадом частотной характеристики).

Рис. 4.26. Зависимость длины регенерационного участка от скорости

передачи

 

Параметры отечественных полупроводниковых лазеров


Дата добавления: 2017-05-02; просмотров: 1508;

Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.007 сек.