Вольт-амперная характеристика диода

Это зависимость тока, проходящего через диод от приложенного напряжения . Рассмотрим ВАХ реального диода КД103А.

Рисунок 3.1

Прямое включение, резкое возрастание тока, при малых значениях напряжения до 1V. Обратное включение – малое значение обратного тока приблизительно 1 _µА при больших значениях напряжения 200V. При увеличении температуры и через диод возрастают (см. рис. 2.6). Зависимость обратного тока от температуры.

- номинальная температура.

- рассматриваемая температура.

- перепад температуры.

- коэффициент, зависящий от материала проводника.

Обратные токи сильно зависят от температуры (см. рис. 2.6). Обратный ток p-n перехода часто называют тепловым током. Рассмотрим ВАХ германиевого и кремниевого диодов:

1- Ge диод

2- Si диод

Рисунок 3.2

Обратные токи кремниевого диода намного больше германиевого диода поэтому кремниевые диоды можно использовать при более высоких температурах и высоких напряжениях.

Si диод t⁰ – от 60⁰ С до 150⁰ С, U_{обр max} от 1000V до 1500V

Ge диод t⁰ – от 60⁰ С до 85⁰ С, U_{обр max} от 100V до 400V

Приемущества германиевого диода малое падение напряжения при пропускании прямого тока, поэтому мощность рассеиваемая на диоде будет меньше.