Стабилитроны средней мощности: КС433В

4). до 10 В

5). от 10 до 99 В

6). от 100 до 199 В

Мощные стабилитроны

7). до 10 В

8). 10-99 В

9). 100-199 В

Параметрический стабилизатор напряжения

Это простейший стабилизатор напряжения, в котором используется принцип действия стабилитрона. Используются для стабилизации напряжения.

Рисунок 4.2

Принцип действия стабилизатора напряжения. При изменении входного напряжения под действием колебаний питающей сети напряжение стабилизации на стабилитроне меняется незначительно (см. Рис 3.1). При этом напряжение на нагрузке также меняется незначительно, так как нагрузка включается параллельно стабилитрону. Лишнее напряжение при этом будет падать на балансном резисторе. Качество стабилизатора напряжения определяется коэффициентом стабилизации.

- показывает во сколько раз относительное изменение напряжения на выходе стабилизатора меньше вызвавшего его относительного изменения напряжения на выходе. Для параметрических стабилизаторов коэффициент К=20 ÷50.

Стабисторы

Используются для стабилизации напряжения. Стабисторы это полупроводниковые диоды, у которых используется прямая ветвь ВАХ. Включение стабистора – прямое.

ВАХ стабистора:

Рисунок 5.1

Стабисторы используются для стабилизации низковольтных напряжений U_ст= 0,3 ÷ 1В

Д 219С

Д 220С

Д 223С

Импульсные диоды

Они широко используются в цифровой технике. Импульсные диоды предназначены для применения в импульсных и цифровых схемах. Они являются разновидностью высокочастотных диодов и предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных режимах. Помимо высокочастотных свойств они должны обладать минимальной длительностью переходных процессов при включении и выключении. У них малая площадь p-n перехода и малая емкость.

При подаче прямого напряжения на диод имеет место скачок напряжения на диоде, которое затем уменьшается до величины U_пр.уст (см Рис. 4.1).

Снижение напряжения на диоде до значения U_пр.уст происходит за время t_уст – время установления прямого сопротивления или напряжения.

Рисунок 6.1

Если прямое напряжение быстро изменить на обратное, то имеет место скачок обратного тока на диоде, который затем уменьшается до значения I_{обр.уст} (см. Рис. 4.2)

Промежуток времени с момента подачи обратного напряжения до момента, когда ток достигает до своего установившегося значения называется временем восстановления обратного сопротивления диода. t_вост или τ_вост . Этими величинами t_уст и t_вост определяется время переключения импульсных диодов.

Рисунок 6.2

Обозначение:

КД507А

5 t_вост 100нс и более

9 t_вост 1нс и менее

6.1 Импульсные диоды обязательно характеризуются такими параметрами:

С_Д емкость диода, и t_вост . импульсные диоды – маломощные диоды.

Пример: рассмотрим основные параметры диода ГД507А

Выпускается в виде диодных матриц, которые содержат несколько импульсных диодов. Рассмотрим диодную сборку КДС525.

Рисунок 6.3

Варикапы

Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости p-n перехода от обратного напряжения. Обозначение:

2В102А

В варикапах используется емкость обратно включенного p-n перехода который называется барьерный.

Рисунок 6.4

d – ширина p-n перехода, (4.1)

Изменяя приложенное обратное напряжение к варикапу мы изменяем ширину p-n перехода и соответственно величину барьерной емкости p-n перехода. Основная характеристика варикапа- вольто-фарадная характеристика диода