Первичная потенциалобразующая адсорбция
Величина первичной потенциалобразующей адсорбции определяется зарядом поверхности, который, в свою очередь, зависит от разности потенциалов на границе кристалл — раствор и емкости двойного электрического слоя.
При этом необходимо иметь в виду, что скачок потенциала на границе «кристалл — раствор» определяется не только избытком одного из собственных ионов на поверхности кристалла, но и адсорбцией диполей слабых электролитов:
φi = (φ0 - φd) ± ln m,
где m- молярная концентрация потенциалобразующего иона.
Заряд, аккумулированный на поверхности кристаллов вследствие избытка одного из ионов:
q=Cφi = C(φ0 - φd) ±C ln m,
Вместе с тем этот заряд должен быть равен:
q= N0 nF
где N0 , — количество адсорбированного радиоактивного элемента, моль; п. — валентность иона; F — число Фарадея.
Отсюда легко вычислить число потенциалопределяющих ионов N0 (сверх стехиометрического соотношения) на поверхности всего кристаллического осадка:
N0 = = ln m
Если общая поверхность кристаллического осадка равна S, а емкость единицы поверхности двойного слоя С0, то С = С0S. Тогда последнее соотношение может быть переписано в следующем виде:
N0 = ln m
Это уравнение неоднократно подвергалось экспериментальной проверке на примере изучения адсорбции ионов иода на диализированных золях иодида серебра. При этом оказа лось, что lnN0 в довольно широких пределах концентрации ионов иода (10-3— 10 - 6 М) линейно зависит от ln т.
В заключение отметим, что первичная потенциалобразующая и обменная адсорбция — это адсорбция во внутренней обкладке двойного слоя, т. е. в поверхностном слое кристалла. Одной из особенностей такой адсорбции является то, что она сопровождается потерей адсорбирующимися ионами их гидратных оболочек.
Дата добавления: 2021-10-28; просмотров: 341;