Регулирование частоты вращения двигателей.

Регулирование скорости двигателя последовательного возбуждения может быть осуществлено либо путём шунтирования обмотки возбуждения либо путём изменения напряжения на его зажимах.

В двигателях параллельного возбуждения регулирование частоты вращения производится изменением тока возбуждения, для чего служит реостат Rш в цепи возбуждения при малой нагрузке и холостом ходе сильное уменьшение тока возбуждения или обрыв цепи возбуждения может вызвать возрастание скорости двигателя до значений, опасных для механической целостности двигателя (т.к. разное).

Двигатель последовательного возбуждения может выдерживать сильные перегрузки, умеренно увеличивая при этом потребление тока. При уменьшении нагрузки на валу он медленно изменяет потребление тока, зато быстро повышает скорость и при нагрузках меньше 25% от номинальной, скорость становиться опасной для механической целостности двигателя (т.е. двигатель идёт в «разнос»).

Лекция №7

Электроника

В настоящие время в технике используется в основном полупроводниковые электронные приборы (диоды, стабилитроны, полевые и биполярные транзисторы, тиристоры, варикапы и т.д).

Полупроводники – это тела, занимающие среднее положение между металлическими проводниками и диэлектриками, как по величине удельного сопротивления, так и по характеру действия ионов тела на электроны, движение которых создает электрический ток.

В полупроводниках (кремний Si, германий Ge) электроны связаны с ионами тела сильнее, чем в металлах, но все же гораздо слабее, чем в диэлектриках. Поэтому тепловое движение нарушает связь части электронов с ионами и эти электроны становятся «свободными», т.е. под действием электрического поля могут создавать ток. Чем выше температура, тем больше число электронов участвует в образовании электрического тока. Поэтому удельное сопротивление полупроводника уменьшается с ростом температуры. Т.е. переноносенными в полупроводниках, как и в металлах могут являться электроны, но процесс переноса может быть и иным чем в металлах. Т.е наряду с электронной может наблюдаться и так называемая «дырочная проводимость». Преобладание того или другого типа проводимости зависит от наличия в полупроводнике тех или иных примесей.

(Сурьма Sb, фосфор Р, галий Ga, индий In).

Если атомы примеси способны захватывать электроны полупроводника, то в полупроводнике образуются «дырки», т.е. состояния, которые могут быть заняты электронами. Но свободные электроны при этом не появляются, т.к. атомы примеси, а вместе с ними и захваченные электроны неподвижны. В этом случае электрический ток создается перемещением «дырок».

И наоборот, если атомы примеси легко отдают свои электроны, то в полупроводнике появляются свободные электроны без образования «дырок» и эти электроны создают электрический ток. Полупроводники, проводимость которых обусловлена наличием дырок, называют полупроводниками р типа (позитив положительный),а проводимость которых обусловлена свободными электронами называют полупроводниками n типа (негатив - отрицательный).

Принцип работы большинства полупроводниковых приборов основан на специфических явлениях, возникающих на границе раздела между полупроводниками n и р типов.

Так как разности потенциалов свободных «дырок» и свободных электронов разные, то по обе стороны от границы раздела полупроводников собираются свободные электроны и свободные дырки. При подключении к этим полупроводниках источника питания, ток будет протекать только в одном направлении, а ток в обратном направлении будет практически равен нулю.