Постоянные запоминающие устройства

Постоянные запоминающие устройства(ПЗУ, или ROM, Read Only Memory — память только для чтения) — энергонезависимая память, используемая для хранения неизменяемых данных: подпрограмм, микропрограмм, констант и т. п.

ПЗУ в отличие от ОЗУ не теряют информации при выключении питания и допускают только считывание информации. Все микросхемы ПЗУ можно разделить на следующие категории:

- масочные ПЗУ;

- программируемые ПЗУ (ППЗУ);

- репрограммируемые (перепрограммируемые) постоянные запоминающие устройства (РПЗУ) — постоянные запоминающие устройства с возможностью многократного электрического перепрограммирования.

Масочные ПЗУ, программируемые в процессе изготовления микросхем. Данная разновидность ПЗУ программируется однократно и не допускает последующего изменения информации.

ПЗУ с однократным электрическим программированием пользователем при помощи плавких перемычек.

В этих микросхемах элементом связи между шинами является биполярный транзистор с выжигаемой перемычкой. При программировании для записи ноля через соответствующий переход транзистора пропускают импульс тока, необходимый для удаления перемычки.

Репрограммируемые ПЗУ устройства с возможностью многократного электрического перепрограммирования разделяют на микросхемы с электрическим программированием и ультрафиолетовым стиранием и микросхемы с электрическим программированием и электрическим стиранием.

В РПЗУ установлены не диоды с плавкими перемычками, как в ППЗУ, а специальные транзисторы. После изготовления все транзисторы обладают очень большим сопротивлением (т. е. закрыты). Подачей импульса большой амплитуды транзистор переводится в проводящее состояние, которое он может сохранять даже по истечении 10 лет. Для возвращения транзисторов в исходное (закрытое) состояние их надо подвергнуть длительному воздействию
(10—30 мин) ультрафиолетовых лучей. После этого БИС РПЗУ оказывается в исходном состоянии, и ее можно снова программировать.

В РПЗУ с электрическим программированием и электрическим стиранием после программирования можно вернуть в исходное состояние (стереть) любой отдельно взятый транзистор. К этому типу перепрограммируемого ПЗУ относится и Flash Memory — энергонезависимая память, допускающая многократную перезапись своего содержимого. Она подобна РПЗУ по запоминающему элементу, но имеет структурные и технологические особенности, позволяющие выделить ее в отдельный вид.

Конструктивно флэш-память часто выполняется в виде так называемых флэш-карт [Flash-cards] или модулей памяти, которые используются в различных устройствах.

Современные запоминающие устройства состоят из огромного количества запоминающих элементов, каждый из которых хранит бинарное значение — 0 или 1. Так, оперативная память емкостью всего в 1 Мбайт содержит 8 388 698 ЗЭ.