Статические характеристики МДП ПТ

На рисунке 4.5 приведены характеристики прямой передачи МДП-транзисторов с индуцированным (кривая 1) и встроенным (кривая 2) каналами. Из рисунка видна квадратичность передаточной характеристики. Теоретически характеристика прямой передачи для транзистора с индуцированным каналом опи­сывается следующим выражением:

(4.3)

при

где, U_{ЗИ ПОР} – пороговое напряжение ПТ, соответствующее току стока I_С = 10 мкА; I_С0 – ток насыщения стока, измеренный при входном напряжении U_ЗИ = 2∙U_{ЗИ ПОР}.

Передаточная характеристика для транзистора со встроенным каналом описывается уравнением (4.1).

Выходные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа приведены на рисунке 4.6, а со встроенным ка­налом - на рисунке 4.6, б.

Для транзистора с индуцированным каналом в омической области при напряжении стока U_CИ < |U_ЗИ - U_{ЗИ ПОР} | теоретический ток стока определяется уравнением

. (4.4)

где , U_{ЗИ ПОР} – пороговое напряжение ПТ, соответствующее току стока I_С = 10 мкА; I_СН – ток насыщения стока, измеренный при входном напряжении U_ЗИ = 2U_{ЗИ ПОР}.