Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом
В качестве статических характеристик ПТ представляются функциональные зависимости между токами и напряжениями, прикладываемыми к их электродам: входная характеристика IЗ = f(UЗИ) при UСИ = const; характеристикаобратной связи I3=f(UСИ) при UЗИ = const; характеристика прямой передачи IС=f(UЗИ) при UСИ = const; выходнаяхарактеристика IС = f(UСИ) при UЗИ = const.
На практике широко используются лишь две последние характеристики, причем первую из них часто называют передаточной характеристикой.
Входная характеристика и характеристика обратной связи применяется редко, так как в абсолютном большинстве случаев входные токи ПТ пренебрежимо малы (от 10-8 до 10-12 А) по сравнению с токами, протекающими через элементы, подключенные ко входу.
На рисунке 4.2, а изображена характеристика прямой передачи IС =f(UЗИ).
а) | б) |
Рис. 4.2. Характеристики прямой передачи (а) и выходные (б) ПТ с управляющим p-n переходом. |
При напряжениях на стоке UСИ > UЗИ0 характеристика прямой передачи хорошо описывается формулой
, (4.1)
где IС0 – ток стока при UЗИ=0.
На рисунке 4.2, б изображено семейство статических выходных характеристик IС =f(UСИ) при различных значениях напряжения затвора UЗИ. Каждая характеристика имеет три участка - омический (для UСИ < UЗИ0- UЗИ), насыщения (для UСИ > UЗИ0 - UЗИ) и пробоя. При UЗИ = 0 с увеличением напряжения UС ток IС вначале нарастает почти линейно, однако далее характеристика перестает подчиняться линейному закону; ток IС начинает расти медленнее, ибо его увеличение приводит к повышению падения напряжения в канале и потенциала вдоль канала. Вследствие этого увеличиваются толщина запирающего слоя и сопротивление канала в области, прилегающей к стоку, это приводит к замедлению возрастания самого тока IС. При напряжении насыщения UСИ = UЗИ0 сечение канала вблизи стока приближается к нулю и рост IС прекращается.
В омической области UCИ < |UЗИ0 - UЗИ| ток стока определяется формулой
, (4.2)
где КПТ – постоянный коэффициент, зависящий от конструкции транзистора и свойства материала, из которого он изготовлен.
Значение КПТ можно выразить через параметры ПТ. Например, в случае ПТ с p-n-переходом
(4.3)
Следующая характеристика, снятая при некотором обратном напряжении затвора UЗИ1, когда запирающий слой имеет большую толщину при тех же значениях UСИ, будет более пологой на начальном участке и насыщение наступит при меньших значениях UСИ1=UЗИ0 -UЗИ1.
При больших напряжениях на стоке наблюдается резкое увеличение IС, и, если мощность рассеивания на стоке превышает допустимую, то происходит необратимый пробой участка затвор-сток. При увеличении запирающего напряжения до UЗИ2 увеличивается разность потенциалов между затвором и стоком. В этом случае пробой наблюдается при меньшем напряжении UСИ на величину напряжения UЗИ2, т.е. UСИ2 = UСИ1- UЗИ2.
Если к p-n-переходу затвор-канал прикладывать прямое напряжение, то обедненный слой уменьшается и эффективная толщина проводящего канала увеличивается. Выходной ток в данном случае возрастает. Однако при определенных значениях отпирающего напряжения (превышающих 0,6 В для кремниевых приборов) возникают существенные прямые токи перехода затвор-канал, ток стока и входное сопротивление прибора в этом случае резко падают. Из-за этого в большинстве случаев применения ПТ работа с прямыми токами затвора нежелательна. Поэтому обычно транзисторы с p-n-переходом используют при запирающих входных напряжениях.
Температурная зависимость тока истока связана с изменением подвижности основных носителей, заряда в материале канала. Для кремниевых транзисторов крутизна S уменьшается с увеличением температуры. Кроме того, с повышением температуры увеличивается собственная проводимость полупроводника, возрастает входной ток IЗ черед переход и, следовательно, уменьшается RВХ. У полевых кремниевых транзисторов с p-n переходом при комнатной температуре ток затвора порядка 1 нА. При увеличении температуры ток удваивается на каждые 10°С.
Особенность полевых транзисторов заключается в наличии у них термостабильной точки (ТСТ), т. е. точки, в которой ток стока практически постоянен при различных температурах (рисунок 4.3). Это объясняется следующим образом. При повышении температуры из-за уменьшения подвижности носителе удельная проводимость канала уменьшается, а, следовательно, уменьшается и ток стока. Одновременно сокращается ширина p-n перехода, расширяется проводящая часть канала и увеличивается ток. Первое сказывается при больших токах стока, второе при малых. Эти два противоположных процесса при определенном выборе рабочей точки могут взаимно компенсироваться. При правильном ее положения основной причиной дрейфа тока стока может быть высокоомный резистор в цепи затвора, в зависимости от температуры будет изменяться падение напряжения на нём и потенциал на затворе, которое изменит рабочий ток стока.
Полевые транзисторы с p-n переходом целесообразно применять во входных устройствах усилителей при работе от высокоомного источника сигнала, в чувствительной по току измерительной аппаратуре, импульсных схемах, регуляторах уровня сигнала и т. п.
Дата добавления: 2020-10-25; просмотров: 284;