Квантово-механический туннельный эффект Есаки (1958 г.)

При очень сильном легировании п/п возможна проводимость, основной вклад в которую дает туннельный ток, обусловленный квантово-механическим эффектом. Выкладки весьма громоздки, однако результаты в виде ВАХ показательны. Особенно для полевых транзисторов и диодов Есаки с р-n переходом высоких концентраций:

Туннельный ток пропорционален вероятности прохождения и числу частиц, соударяющихся с поверхностью. Широко применяемые генераторы СВЧ имеют очень узкий участок ∆U, поэтому надо точно выставлять напряжение питания, иначе генерации не будет.

Фотоэффекты в п/п.

Фото сопротивление (ФС) - прибор с изменением R от воздействия света различного спектрального состава (пасс.) нет Е_пит. Применяется в автоматике, ИК системах. Фотодиод - прибор с односторонней проводимостью зависящей от освещенности, работает при наличии Е_пит. Фотоэлемент - источник ЭДС, разности потенциалов при интенсивной освещенности с внутренним фотоэффектом.

Взаимодействие света и п/п сложное. В простейших случаях пояснения следующие: При облучении светом, квант энергии которого больше ширины запрещенной зоны, электрон из ВЗ попадает в ЗП. Проводимость п/п - функция интенсивности освещения. Тогда ФС -детектор освещения. Увеличение числа частиц , , где f-частота света, τ-среднее время жизни

Повышение проводимости . При этом пройденные расстояния L_p и L_n до момента рекомбинации должны перекрывать путь к р-n переходу, иначе фототока не будет в фотодиоде даже при наличии Е.