Инженерные модели полевых транзисторов
5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
В реальном транзисторе области канала и затвора представляют собой распределенную RC-цепь, поэтому полная эквивалентная схема транзистора предполагает использование модели с распределенными параметрами. Такой расчет сложен, поэтому для анализа процессов в транзисторе используют эквивалентные схемы с сосредоточенными параметрами ( рис.2.31.).
В схемах использованы обозначения: S*(w) - действующая крутизна транзистора; Сзи, Сзс, Rзи, Rзc - соответственно емкости и сопротивления обратносмещенного перехода; rзи и rзс - омические сопротивления области затвора; rси - дифференциальное сопротивление канала (его нередко называют внутренним сопротивлением); rс - сопротивление области стока; rи - сопротивление области истока.
а) б)
Рис. 5.10. Полная –а) и упрощенная –б) эквивалентная схема полевого транзистора с управляющим р-п переходом.
На схемах рис.5.10. не учтены индуктивности выводов полевого транзистора (ПТ), влияние которых проявляется в диапазоне частот свыше 300 мГц.
Упрощение эквивалентной схемы произведено с учетом некоторых практических соображений. Например, сопротивления Rзи, Rзc имеют очень большие величины 108-1010 Ом, и в большинстве случае их можно не учитывать. Влияние омических сопротивлений области затвора rзи и rзс (их величина не превышает 10-20 Ом) незначительно вплоть до предельной частоты генерации. Влияние дифференциального сопротивления канала на усилительные и частотные свойства ПТ в рабочем диапазоне частот (до 0,7 fг) может также не учитываться. Для современных ПТ граничная частота крутизны превышает предельную частоту генерации транзистора в 2-5 раз, поэтому в диапазоне до 0,7 fг зависимость крутизны ПТ от частоты может не учитываться: граничная частота крутизны определяется как частота, на которой модуль крутизны уменьшается в по сравнению с его максимальным значением.
В упрощенной схеме ПТ крутизна S - реальная величина, измеренная в статическом режиме Эта схема широко используется разработчиками электронной аппаратуры. для инженерных расчетов усилителей на ПТ..
Дата добавления: 2020-10-14; просмотров: 331;