Основные проблемы конструирования и применения БИС.
Повышение плотности упаковки компонентов на кристалле, объемов реализуемых на них схем и тактовой частоты переключения элементов приводит к возникновению следующих проблем:
• увеличение числа внешних выводов БИС и субблоков;
• повышение плотности упаковки компонентов в БИС и БИС в субблоках для снижения потерь быстродействия из-за задержек сигналов;
• увеличение удельной выделяемой тепловой энергии;
• ужесточение требований к постоянству волнового сопротивления линий связи (в связи с переходом к работе в гигагерцевом диапазоне).
Наиболее существенная проблема – обеспечение требуемого количества внешних выводов при высокой их плотности. Плотность контактов оценивается как отношение их количества к площади платы, которую занимает корпус вместе с выводами. Требуемое кол-во внешних выводов оценивается по закону Рента: Nв= aNр, где a = 2,5..3 – среднее количество выводов элемента (вентиля) схемы; p = 0,5..0,75 – показатель Рента.
N | 5·103 | ||
Nв | 175..245 | 250..350 |
Оценка качества конструкции как механической системы.
Конструкция – совокупность твердых тел, соединенных упругими механическими связями с сосредоточенными и распределенными параметрами. Известны характеристики этих связей, в том числе формы главных колебаний платы, составляющие полную систему. Получена частотная характеристика H(jw). Входное воздействие – широкополосная случайная вибрация, ее характеристики: S, [wн, wв], tвозд.
Необходимо проверить выполнение критерия виброустойчивости для микросхемы.
Характеристика виброустойчивости: sи– среднеквадратичное значение узкополосной вибрации при испытаниях; tи– время испытаний.
1. Исследуя формы главных колебаний определяем координаты точек платы (центров установочных позиций микросхем) наиболее опасные с точки зрения передачи виброускорения.
2. Получаем модуль частотной характеристики h(w) для одной из этих точек.
3. Определяем среднее квадратичное значение реакции конструкции на широкополосную вибрацию:
4. Проверяем выполнение условий: sр £ sи , tвозд£ tи .
Виды корпусов БИС.
Конструкция корпусов БИС должна:
• удовлетворять поставленным требованиям по габаритам;
• обеспечивать эффективный отвод тепловой энергии, выделяемой кристаллом;
• обеспечивать его герметизацию и защиту от излучений;
• иметь высокую плотность контактов.
В разработке многоконтактных корпусов для БИС и МаБИС с произвольной логикой выделяют три направления:
• плоские корпуса с выводами с четырех сторон;
• безвыводные корпуса (носители кристаллов);
• корпуса с матрицей выводов.
Керамические корпуса (окись алюминия):
Достоинства: низкое тепловое сопротивление; хорошая герметизация; высокая плотность выводов. Недостатки: высокое значение относительной диэлектрической проницаемости (около 9); высокая стоимость; большая масса.
Для безвыводных носителей кристалла существенно, что температурный коэффициент расширения керамики значительно меньше, чем у обычных материалов печатных плат (можно использовать платы из специально разработанных материалов, например, медь – инвар – медь, но при этом увеличивается масса субблока).
Пластмассовые корпуса (стеклоэпоксидные):
Достоинства: низкая стоимость; малая величина относительной диэлектрической проницаемости, что обеспечивает более низкие, чем у керамических, значения емкости выводов и более высокие значения максимальных токов; возможность изготовления корпусов безвыводных носителей кристалла групповым методом. Безвыводные носители кристалла термически согласованы с печатной платой.
Недостатки: высокое тепловое сопротивление; неустойчивость к воздействию влаги (кристалл с приваренными к нему выводами можно защитить слоем кремнийорганического соединения RTV).
Дата добавления: 2016-07-18; просмотров: 1911;