ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналом


IС,mA обогащение

UЗИ=+1В

 

UЗИ=0

обеднение UЗИ=-1В

 

0 UСИ, В

 

 

IС ,mA

 

UСИ=5В

 

обеднение обогащение

 

-UЗИ, В 0 +UЗИ, В

UОТС

Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное.

а) Пусть (поперечное поле отсутствует).

Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1).

б) Пусть

Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.

в) Пусть

Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения.

Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения.

Достоинства полевых транзисторов::

· Высокое входное сопротивление ( достигает 1014 Ом).

· Бесконечно большое усиление по току

( ).

коэффициент усиления по току 0

· Малый уровень собственных шумов.

(Наиболее шумящими процессами являются генерация и рекомбинация – образование или исчезновение пары: электрон + дырка. В полевом транзисторе эти процессы отсутствуют, т.к. через их каналы двигаются заряды только одного знака).

· Высокая температурная стабильность, позволяющая исключить специальные меры температурной стабилизации рабочего режима.

· Хорошая развязка между входом и выходом ( ).

· Малый разброс параметров.

Недостатки:

· Малый коэффициент усиления по напряжению (несколько единиц).

Это связано с тем, что полевой транзистор в рабочем режиме (в режиме насыщения) имеет очень большое сопротивление, на котором теряется значительная часть полезного напряжения.

IС

А

∆IС

∆UСИ

 

0 UСИ

· МОП-транзисторы боятся статического электричества.

 



Дата добавления: 2019-02-08; просмотров: 610;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.009 сек.