Принцип действия биполярного транзистора


Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. Разница в том, что полярность включения источников питания для них противоположна. В соответствии с этим в транзисторе типа p-n-p коллекторный ток создается движением дырок, а в транзисторе типа n-p-n – движением электронов.

Рассмотрим принцип действия транзистора на примере транзистора p-n-p-типа (рис.4).

Если разомкнуть цепь эмиттера, а коллектор оставить под напряжением указанной полярности, то коллекторный переход смещен в обратном направлении. В этом случае через него протекает небольшой ток, образованный движением неосновных носителей. Этот начальный ток у германиевых транзисторов составляет десятки, а у кремниевых – единицы микроампер.

 

Рисунок 4- Схема включения биполярного транзистора p-n-p-типа

Замкнем цепь эмиттера. Эмиттерный переход окажется смещен в прямом направлении. Через него потечет прямой ток, образованный диффузией дырок в базу и диффузией электронов в эмиттер. Так как концентрация электронов в базе значительно меньше, чем концентрация дырок в эмиттере, ток через переход практически создается эмиттированием дырок в базу.

Поскольку толщина базы невелика дырки пройдут через нее без значимой рекомбинации и диффундируют в область коллектора, где, перемещаясь под действием коллекторного напряжения, создадут коллекторный ток.

Небольшая часть дырок, рекомбинировавших в базе, а также электроны, диффундирующие из базы в эмиттер, создадут небольшой ток базы, примерно на два порядка меньший токов эмиттера и коллектора.

Таким образом, коллекторный ток и пропорциональное ему напряжение на сопротивлении нагрузки Rн почти полностью определяется количеством эмитированных дырок, т.е. током эмиттера.

Обобщая выше сказанное, можно сделать вывод, что принцип действия биполярного транзистора основан на переносе основных носителей из эмиттера в коллектор через базу.

Отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе называется коэффициентом передачи

при Uк=const

Коэффициент передачи тем выше, чем больше эмитированных дырок диффундирует через коллекторный переход. Конструкция транзистора обеспечивает экстракцию (улавливание) коллектором до 99% дырок, эмитированных в базу.

В рассмотренной схеме включения коэффициент усиления транзистора по току меньше единицы (0,95-0,99).

Схема может быть использована для усиления сигнала по напряжению или мощности. Действительно, несмотря на то что токи эмиттера и коллектора примерно равны, напряжение в цепи коллектора, а, следовательно, и мощность могут в десятки раз превышать напряжение и мощность в цепи эмиттера.

 



Дата добавления: 2020-06-09; просмотров: 393;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.008 сек.