Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем.
Рисунок 1- Внешний вид полевого транзистора
Основа такого транзистора – созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n – типа или p – типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод – затвор, соединённый с его средней частью p – n переходом.
В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными:
- высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление;
- высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей);
- почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей,
- малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства полевых транзисторов обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных полевых транзисторов выше, чем у биполярных)
- применение ключевых усилителей на полевых транзисторах при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 МГц, что выше, чем на биполярных транзисторах;
- квадратичность вольт–амперной характеристики (аналогична триоду);
- высокая температурная стабильность;
- малый уровень шумов.
Полевые транзисторы изготовляют двух типов:
- с затвором в виде p-n-перехода
- с изолированным затвором (МДП или МОП – транзисторы)
Кроме того, полевые транзисторы выпускают в двух видах: с р-каналом и с n-каналом. Условные обозначения этих транзисторов показаны на рис.2
Рисунок 2 – Условное обозначение полевого транзистора на электрической схеме
Полевые транзисторы аналогично биполярным используют для усиления и генерирования электрических сигналов, а также как электронные ключи. В ключевом режиме широко используют МДП-транзисторы, они получили широкое распространение в цифровой и микропроцессорной технике.
Дата добавления: 2020-06-09; просмотров: 375;