Из истории создания биполярных транзисторов

В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта дата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. Позднее транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, свершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.

Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», но слово «транзистор» (transistor), предложенное Джоном Пирсом (John R. Pierce), победило во внутреннем голосовании.

Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах, для которых эта аналогия более точна — напряжением на затворе, в биполярных транзисторах — напряжением на базе или током базы).

Устройство биполярного транзистора

Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор, основу которого составляют два взаимодействующих электронно-дырочных перехода и который имеет три вывода и более

Рисунок 1- Внешний вид биполярных транзисторов

Области применения биполярного транзистора:

Биполярный транзистор способен выполнять усилительные, генераторные и ключевые функции. Поэтому транзистор используют для усиления и генерирования электрических сигналов, а также как электронный ключ.

Транзистор может быть изготовлен из германия и кремния, но кремний является более популярным материалом. Современные транзисторы изготавливают также из арсенида галлия.

Биполярный транзистор состоит из трех областей с чередующимся типом проводимости. Эти области называются эмиттер (Э), база (Б), коллектор(К).