Вольт-амперная характеристика динистора

Для удобства изложения на рис. 6.3 сразу приведена характери­стика динистора и указаны ее участки. Такую ВАХ называют S-образной. Для нее характерна неоднозначная зависимость тока от напря­жения. Одному значению напряжения могут соответствовать два зна­чения тока. Для фиксации тока при измерениях любой точки ВАХ при­ходится включать во внешнюю цепь резистор (см. рис. 6.1) и под­бирать его сопротивление так, чтобы была только одна точка пересе­чения В нагрузочной прямой и ВАХ (рис. 6.4). Эта точка пересечения и будет определять ток I и напряжение U = Е – I , которое измеряет­ся вольтметром, присоединенным к выводам А и K тиристора.

Участок I соответствует положительному напряжению на аноде А. Для снятия этого участка ВАХ внешнее сопротивление может быть равно нулю, так что напряжение на тиристоре равно напряже­нию источника питания U = Е и изменяется вместе с ним. При таком включении переходы и оказываются включенными в прямом направлении, а – в обратном. Такое включение называют пря­мым включением тиристора. Напряжение анод – катод U есть сум­ма напряжений на переходах:

(6.7)

Большая часть этого напряжения падает на среднем переходе ,включенном в обратном направлении, и потому имеющем большое сопротивление. Прямые напряжения и малые, так что мож­но приближенно при прямом включении считать U .

Участок I с малыми токами соответствует состоянию тиристора «закрыто». По мере приближения к на­пряжению лавинного пробоя увеличивается скорость роста тока (производная dI/dU). Напряжением переключения называют значение, при ко­тором дифференциальное сопротивление становится равным ну­лю. На рис. 6.3 это соответствует точке а – точке максимума функции U = f(I). ВАХ после точки переключе­ния идет влево, создавая участок II ВАХ на рис. 6.3.

Участок II. После переключения рост приращения тока во внешней цепи тиристора приведет к неравенству токов на различных участках последовательной цепи. Дырки, инжектированные из эмиттера (р₂-область) проходят через «свою» базовую область и ускоряющим полем коллекторного пере­хода переносятся в «свою» коллекторную область, заряжая ее положительно. В результате такого нарушения электрической нейт­ральности областей происходит понижение потенциального барьера среднего перехода . Это можно трактовать как результат нейтра­лизации приходящими основными носителями противоположного по знаку заряда ионов в приграничных слоях перехода . При этом происходит уменьшение ширины перехода/

Понижение потенциального барьера обратно включенного р-n-перехода означает уменьшение напряжения на нем и сопро­вождается уменьшением коэффициента лавинного умножения, т.е. уменьшением тока через переход. Рост тока при понижении напряжения на приборе после точки переключе­ния означает появление отрицательной производной dI/dU, а следо­вательно, и отрицательного дифференциального сопротивления dU/dI. Однако экспериментальное наблюдение статической харак­теристики на участке с отрицательным сопротивлением возможно только при выполнении определенного условия, обеспечивающего устойчивую работу прибора, т.е. отсутствие самопроизвольного пе­рехода из одного режима в другой, из одной точки ВАХ в другую.

Устойчивость обеспечивается, если сопротивление нагрузки на­столько больше модуля отрицательного сопротивления, что нагру­зочная прямая, проходящая через точку А на оси напряжений U=E через точку N на оси тока Е/Rн, пересекает участок в одной точке и не пересекает других участков ВАХ, как показано на рис. 6.4. Иде­альным является использование генераторов тока (эталонов тока), в которых ток не зависит от напряжения и сопротивления нагрузки. В этом случае вместо нагрузочной прямой AN следует рисовать го­ризонтальные линии A'N', соответствующие различным устанавли­ваемым значениям тока с помощью генератора тока. Увеличивая этот ток, проследим весь участок с отрицательным сопротивлением, так как сможем измерить ток и напряжение U на тиристоре в любой точке этого участка.

Конечной точкой участка II ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением является точка с на рис. 6.3, точка минимума зависимости U = f(I), где
dU/dI = 0. Ток, соответствую­щий этому условию, называют током удержания , точку с – точкой удержа­ния, а напряжение на тиристоре – на­пряжением удержания . После прохождения точки b увеличение тока в цепи тиристора бу­дет по-прежнему снижать высоту потенциального барьера сред­него перехода и уменьшать его ширину по сравнению с состояни­ем равновесия этого перехода. Но теперь это означает появле­ние на этом переходе прямого напряжения. Все три перехода ока­зываются включенными в прямом направлении, а суммарное на­пряжение на тиристоре уменьшается, так как напряжение на сре­днем переходе противоположно по знаку напряжению на эмиттерных переходах и . Точке удержания соответствует наименьшее напряжение на тиристоре: оно меньше суммы на­пряжений на эмиттерных переходах и .

Участок III характеризует изменение тока в тиристоре после точки удержания с. На этом участке все три перехода имеют пря­мое включение и тиристор можно рассматривать как три диода, включенные последовательно. ВАХ такой системы (участок III) должен быть более крутой, чем у обычного диода. Участок III с большими токами и малым напряжением соответствует состоя­нию тиристора «открыто».

Участок IV соответствует обратному включению тиристора (по­лярность источника питания на рис. 6.1 изменена на обратную). В этом случае все переходы имеют обратное включение и вся цепь эк­вивалентна последовательному включению трех диодов с обрат­ным напряжением. Очевидно, что участок IV ВАХ будет походить на обратную ветвь ВАХ обычного диода, а при достаточно большом напряжении возможен пробой одного из переходов.

Тринистор

Практическое включение диодного тиристора в открытое состоя­ние может быть реализовано при кратковременном превышении на­пряжения включения или подаче импульса напряжения с крутым фронтом. Это является недостатком диодного тиристора. На прак­тике наиболее широкое применение нашел способ включения путем введения в одну из базовых областей основных носителей через до­полнительный электрод, называемый управляющим. Такой прибор с управляющим выводом получил название триодного тиристора или тринистора (рис. 6.6,а). Управляющий вывод сделан от одной из баз транзисторов или , что дает возможность управлять пря­мым током одного из эмиттеров. Использование той или иной базы приводит лишь к изменению полярности управляющего напряже­ния, которое должно обеспечивать отпирание соответствующего эмиттерного перехода.

Предположим, что на управляющий электрод, связанный с -базой тиристора (см. рис. 6.6,а), подано положительное напря­жение. Тогда прилегающий к этой базе эмиттерный переход включен в прямом направлении, в цепи управляющего электрода идет дополнительный инжекционный ток I_у. Дополнительный ток инжекции через эмиттерный переход вызывает возрастание транзистора и облегчает выполнение условия (6.14), при кото­ром тиристор переходит в открытое состояние. С ростом тока упра­вления анодное напряжение, необходимое для переключения ти­ристора в открытое состояние, уменьшается. Вольт-амперная ха­рактеристика тринистора при изменении управляющего тока пока­зана на рис. 6.6,б. Для перевода тиристора из устойчивого открыто­го состояния в устойчивое закрытое состояние необходимо уменьшить напряжение на аноде или подать на управляющий электрод импульс обратной полярности.