Запоминающие элементы динамических ОЗУ

Запоминающие элементы динамических ОЗУ построены на базе МОП-транзисторов. Здесь используется тот факт, что у МОП-транзистора высокое входное сопротивление. Это позволило построить схемы ЗЭ, у которых входной ток близок к нулю. В основу положен принцип накопления и восстановления (регенерации) заряда на затворе МОП транзистора. Основой ЗЭ является паразитная емкость Сп, накапливающая заряд. Из-за постепенного разряда Сп за счет токов утечки необходимы схемы восстановления заряда.

Периодическое, а не постоянное поступление энергии в ЗЭ позволяет сократить потребляемую мощность и упростить схему, что снижает размер площади и увеличивает плотность компоновки на кристалле. На рис. 5.17. приведена схема ЗЭ динамического типа. В режиме записи VT1 и VT3 совмещают функции возбуждения разрядных шин и нагрузки для транзисторов триггера VT2, VT4.

В режиме записи подаются положительный импульс в адресную шину ША и отрицательный - в разрядную шину ШР0 либо ШР1 в зависимости от того, записывается логический «0» или логическая «1». При этом VT1 или VT3 открывается, информация заносится в триггер. Информация хранится в виде зарядов паразитных емкостей Сп1 и Сп2, причем «0» хранится неограниченное время, а «1» из-за токов утечки должна периодически восстанавливаться. Для регенерации информации периодически возбуждается шина ША и одновременно на разрядные шины подается одинаковое по знаку напряжение. В этом состоит одна из отличительных особенностей динамических ОЗУ.

В режиме считывания возбуждают ША, как бы подключая источник питания к триггеру, и ток считывания через VT1 или VT3 поступает в соответствующую ШР - в ШР0, если хранился «0», или в ШР1, если хранилась «1».