Классификация транзисторов
По основному полупроводниковому материалу
Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:
§ Германиевые
§ Кремниевые
§ Арсенид-галлиевые
Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.
По структуре
Транзисторы | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Биполярные | Полевые | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
p-n-p | n-p-n | С p-n-переходом | С изолированным затвором | ||||||||||||||||||||||||||||||||
С каналом n-типа | С каналом p-типа | Со встроенным каналом | С индуцированным каналом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи.
§ Биполярные
§ n-p-n структуры, «обратной проводимости».
§ p-n-p структуры, «прямой проводимости»
§ Полевые
§ с p-n переходом
§ с изолированным затвором
§ Однопереходные
§ Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)
p-n-p | канал p-типа | ||
n-p-n | канал n-типа | ||
Биполярные | Полевые |
Обозначение транзисторов разных типов.
Условные обозначения:
Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база;
З — затвор, И — исток, С — сток.
Дата добавления: 2021-04-21; просмотров: 338;