Концентрационная зависимость коэффициента диффузии


 

При высоких концентрациях примеси (C > ni, где ni – собственная концентрация носителей заряда при температуре диффузии) коэффициент диффузии легирующей примеси в полупроводниках перестаёт быть постоянным и начинает зависеть от концентрации примеси. Соответственно изменяется и вид профиля (рис. 5.6). При диффузии из постоянного источника с поверхностной концентрацией Cs < ni, распределение примеси (кривая 1) описывается дополнительной функцией ошибок (пунктир 1¢на рис. 5.6). Тогда как при поверхностной концентрации Cs > ni распределение примеси (кривая 2) отличается от дополнительной функции ошибок (кривая 2¢) и имеет “плато” вблизи поверхности, где коэффициент диффузии максимален.

Причиной концентрационной зави-симости коэффициента диффузии легирующих примесей является присутствие в полупроводнике заряженных собственных точечных дефектов и влияние на их концентрацию уровня Ферми. Установлено, что СТД в кремнии могут быть не только нейтральными, но и иметь заряды ±1 и ±2.


Связь между концентрациями заряженных и нейтральных СТД выражается соотношениями Шокли–Ласта. Так, например, для однократно отрицательно заряженных вакансий V они имеют вид

,

где EF – уровень Ферми; и – уровень отрицательно заряженной вакансии и фактор его вырождения, Ec – положение дна зоны проводимости, Nc – эффективная плотность состояний в зоне проводимости, n – концентрация электронов. Для двукратно заряженных вакансий V2–

где и – уровень дважды отрицательно заряженной вакансии и фактор его вырождения. Для однократно и двукратно положительно заряженных вакансий V+

,

где , , и – уровни однократно и двукратно заряженных вакансий и факторы их вырождения соответственно; Ev – положение потолка валентной зоны проводимости; Nv – эффективная плотность состояний в валентной зоне; p – концентрация дырок. Аналогичные соотношения можно записать и для концентраций заряженных собственных междоузельных атомов.

Таким образом, концентрации отрицательно заряженных СТД пропорциональны концентрации электронов n, двукратно отрицательно заряженных СТД пропорциональны n2, концентрации положительно заряженных СТД пропорциональны концентрации дырок p, а двукратно положительно заряженных СТД пропорциональны p2. Поскольку легирующие примеси в кремнии являются примесями замещения и диффундируют посредством непрямого вакансионно-междоузельного механизма (см. 2.8, 2.9), их парциальные коэффициенты диффузии пропорциональны концентрациям соответствующих СТД. Суммарный коэффициент диффузии равен сумме парциальных коэффициентов диффузии посредством СТД в различных зарядовых состояниях:

,

поэтому его можно записать в виде

,

где нижний индекс i у парциальных коэффициентов диффузии означает собственный (нелегированный) материал; z – заряд и соответствующая ему степень. Зависимость коэффициента диффузии D от концентрации донор-ной легирующей примеси Сd построена на рис. 5.7. Как видно из рисунка, при малых концентрациях (С < ni) коэффициент диффузии постоянен и не зависит от концентрации примеси. В этой области слабого легирования концентрация носителей заряда равна собственной ni, а коэффициент диффу-зии равен собственному

.

В переходной области вблизи Сni концентрация носителей заряда связана с концентрацией легирующей примеси известным соотношением

.

При сильном легировании (С > ni) коэффициент диффузии становится функцией концентрации примеси – сначала линейной (D ~ n ~ Cd), а при С >> ni – квадратичной (D ~ n2 ~ ).

На концентрационных профилях примесей фосфора и бора в кремнии при высоких поверхностных концентрациях наблюдаются так называемые перегибы и хвосты в области низких концентраций. Их появление объясняется образованием и диффузией вглубь нейтральных пар примесь–СМА. При концентрациях примеси Сnk, где nk – концентрация перегиба, эти пары распадаются с освобождением избыточных СМА. Последние являются причиной ускоренной диффузии примеси в области низких концентраций – на хвосте концентрационного профиля.




Дата добавления: 2016-12-16; просмотров: 1687;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.01 сек.