Примером такой ПЗУ является К155РЕ3. Ее структура 32x8 (32 слова по 8 битов каждое).

Рис.9-3 ПЗУ К155РЕ3

Если перемычка П0 цела, то при выборе транзистора VT0 (по адресу 00000 открывается "0" выход дешифратора), тогда ток этого транзистора создает через делитель R1R2 на базе VT2 некоторый потенциал, VT2 открывается, и на выходе y0 появится "0". VT1 в это время закрыт, т.к. потенциал его базы равен 0. Чтобы на выходе у0 получить "1" необходимо перемычку П0 сжечь. Для этого Uпит2 повышают до уровня 10-11 В; открывается стабилитрон VD, на базе VT1 появляется положительный потенциал, транзистор VT1 открывается и его ток сжигает перемычку. Теперь на базе VT2 не будет положительного потенциала, VT2 – закрыт, следовательно у0 = 1.

Длительность прожигающего импульса выбирается в интервале 5¸20мс.

ПЗУ с УФ стиранием

ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением в настоящее время наиболее широко используются в микропроцессорных системах. В БИС таких ПЗУ каждый бит хранимой информации отображается состоянием соответствующего МОП-транзистора с плавающим затвором (у него нет наружного вывода для подключения). Затворы транзисторов при программировании «1» заряжаются лавинной инжекцией, т.е. обратимым пробоем изолирующего слоя, окружающего затвор под действием электрического импульса напряжением 18 – 26 В. Заряд, накопленный в затворе, может сохраняться очень долго из-за высокого качества изолирующего слоя. Так, например, для ППЗУ серии К573 гарантируется сохранение информации не менее 15–25 тысяч часов во включенном состоянии и до 100 тысяч часов (более 10 лет) - в выключенном.

ПЗУ с электрическим стиранием

Они позволяют производить как запись, так и стирание (или перезапись) информации с помощью электрических сигналов. Для построения таких ППЗУ применяются структуры с лавинной инжекцией заряда, аналогичные тем, на которых строятся ППЗУ с УФ стиранием, но с дополнительными управляющими затворами, размещаемыми над плавающими затворами. Подача напряжения на управляющий затвор приводит к рассасыванию заряда за счет туннелирования носителей сквозь изолирующий слой и стиранию информации. По этой технологии изготовляют микросхемы К573РР2.