Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость

При переходах электронов из валентной зоны или из примесных уровней в зону проводимости, или из валентной зоны на примесные уровни, возникают новые свободные носители заряда, способные участвовать в переносе тока. Это приводит к изменению концентрации носителей заряда.

Изменение концентрации носителей заряда в веществе при его освещении, приводящее к изменению его электрических свойств, называется внутренним фотоэффектом. При внутреннем фотоэффекте, в отличие от внешнего, оптически возбужденные электроны остаются внутри освещенного тела, электрическая нейтральность которого не нарушается.

Внутренний фотоэффект обуславливается собственным и примесным поглощением, так как остальные типы поглощения не создают свободных носителей зарядов. На рисунке 8.10 показаныфотоэлектрические переходы, в результате которых создаются свободные носители заряда.

 
 

Рис.8.10. Фотоэлектрические переходы в полупроводниках:

1-собственные переходы, 2- примесные переходы,
Еad и Еaa энергии активации доноров и акцепторов

Внутренний фотоэффект - явление не поверхностное, а объемное, поэтому даже если коэффициент поглощения и будет незначительным, тем не менее эффект будет значительным.

Под действием оптического излучения изменяется проводимость полупроводника. Это изменение проводимости называется фотопроводимостью. Как известно, проводимость полупроводников определяется выражением: σ=σnp =e(nμn + pμp), (8.15)

где σn и σp – электронная и дырочная составляющие проводимости, μn и μp - подвижности электронов и дырок; n и p - объемные концентрации свободных электронов и дырок.

Из выражения (8.15) видно, что проводимость может изменяться в результате изменения концентрации носителей или их подвижности.

При поглощении излучения в собственной или примесной области спектра происходит оптическая генерация носителей заряда, т.е. увеличивается их концентрация, вследствие чего нарушается термодинамическое равновесие системы электрон-решетка. Поэтому избыточные электроны и дырки, генерирующиеся при освещении полупроводника, называются неравновесными носителями заряда (равновесные носители генерируются путем термического возбуждения).

Если концентрация свободных электронов в результате поглощения излучения изменится на величину Δn, а концентрация дырок на величину ∆p, то проводимость полупроводника изменится на величину

∆σ=е(μnΔn+μpΔp). (8.16)

Полная проводимость освещенного полупроводника может быть представлена как сумма равновесной проводимости в темноте (темновой проводимости) и фотопроводимости:

σ = σ0 + Δσ = еμn(n0 + Δn) + eμp(p0 + Δp). (8.17)

При определенных условиях освещения полупроводника может привести не к повышению, а к понижению его проводимости, т.е. Δn,Δp<0. Это явление называется отрицательной фотопроводимостью.

В неравновесных условиях концентрация электронов n=n0+Δn и дырок p=p0+Δp не может определяться положением уровня Ферми, которое имеет смысл только при термодинамическом равновесии. Однако неравновесную концентрацию зарядов удобно описывать выражениями, справедливыми для равновесной концентрации:

n = Ncexp(Ec - EFn/kT), (8.18.а)

p = Nvexp(EFp - Ev/kT), (8.18.б)

где величины Nc= (2/h3)(2πme*kT)3/2 и Nv= (2/h3)(2πmp*kT)3/2 - эффективные плотности состояний в этих зонах, EFn и EFp квазиуровни Ферми.

Увеличение неравновесной концентрации электронов в зоне проводимости эквивалентно смещению квазиуровня Ферми EFn вверх, а увеличение концентрации дырок – смещению квазиуровня Ферми EFp - вниз.

Энергетические модели полупроводников в равновесных и неравновесных случаях наглядно можно представить в следующих рисунках:

Рис. 8.11. Энергетические модели полупроводников: а) – равновесное состояние, б) и в) - неравновесное состояние.

 






Дата добавления: 2016-11-26; просмотров: 1646; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2022 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.02 сек.