Основные этапы ТП изготовления РИТМ-плат

По РИТМ-процессу на базе хорошо отработанной технологии ДПП, исключив наиболее трудоемкие операции сверления и металлизации сквозных монтажных и переходных отверстии, применение дорогостоящего технологического оборудования, изготавливают РИТМ-платы с шириной проводников 50 мкм и расстоянием между ними порядка 75 мкм с высокой степенью автоматизации изготовления плат и сборки ФУ. Наличие сквозных отверстий приводит к значительным (до 20 %) потерям по использованию площади ПП.
Главная особенность РИТМ-процесса состоит в использовании металлической подложки вместо диэлектрика при проведении операций получения защитного рельефа и электрохимического осаждения проводникового материала. Процесс изготовления РИТМ-плат на медной подложке состоит из следующих основных этапов (рис. 15).
1. Получение металлической подложки из меди или ее сплавов толщиной, равной ширине проводников второго уровня разводки (рис. 15, а).
2. Получение рисунка уровней разводки проводников на противоположных сторонах подложки (создание защитного рельефа, соответствующего негативному рисунку проводников) (рис. 15, б):
двустороннее нанесение фоторезиста;·
· экспонирование;
проявление.·
3. Электрохимическое осаждение никеля толщиной 15 мкм из сульфаминового электролита (селективное осаждение проводников через окна в фоторезисте). Осажденный металл проводников (никель) является металорезистом на операции селективного травления металла подложки на этапе 7 (рис. 15, в).
4. Удаление фоторезиста между проводниками (рис. 15, г).

5. Затравливание металлической подложки для увеличения рельефности проводников над подложкой. После удаления фоторезиста и подтравливания подложки проводники рельефно выступают над поверхностью в результате бокового подтравливания подложки (рис. 15, д).
6. Наклеивание (напрессовывание) подложки на несущее основание из стеклотекстолита СТЭК толщиной 1,0...1,5 мм (или алюминия марок А5; АД1 толщиной 0,8...1,5 мм и др.) при помощи помощи склеивающих прокладок из стеклоткани толщиной 0,02...0,03 мм, пропитанных эпоксидным компаундом в состоянии частичной полимеризации (рис. 15, е). Эта операция не-
обходима для формирования диэлектрического слоя со стороны первого уровня разводки и электрической схемы соединения. Применение в качестве основания термопластичных материалов, например, фторопласта и др. позволяет исключить использование склеивающих прокладок.
7. Разделительно-избирательное травление, основанное на эффекте бокового подтравливания металлической подложки на всю толщину для образования промежутков между пересекающимися проводниками разных уровней разводки (рис. 15, ж), удаляется металл со всей подложки, за исключением мест перехода с одного уровня разводки на другой, где он остается в виде столбиков, поддерживающих второй уровень проводников которые выполняют роль металлизированных отверстий в обычной ПП. Для удаления металла используют селективный травитель — на основе хромового ангидрида и серной кислоты.
8. Осаждение электрохимического припойного покрытия.
9. Заливка твердым или эластичным компаундом, включая воздушные промежутки для повышения вибро- и удароустойчивости.
Унифицированным топологическим элементом второго уровня является кроссовер (линейный или сетчатый проводник), который отделяется зазором от проходящих под ним проводников нижнего уровня разводки. Кроссовер опирается на связывающие его с нижним уровнем переходы в виде столбиков металла подложки, полученные после избирательного травления (рис. 16).

Максимальная величина пролета линейного кроссовера от опоры до опоры не должна превышать 10 мм; минимальный размер перехода или столбикового вывода составляет 0,4х0,4 мм2.
Контактные площадки первого уровня разводки можно использовать для микросварки гибких проволочных выводов бескорпусной элементной базы. Контактные площадки второго уровня разводки, имеющие под собой жёсткие опоры в виде столбиков металла, используют для установки на пастообразный припой и групповой пайки ПМК.
Достоинства РИТМ-плат:
совместимость с ПМК, бескорпусной и традиционной элементной· базой, ориентированной на автоматизированную сборку;
не требуют· применения дефицитных материалов;
высокие коммутационные возможности на· единицу площади;
низкая стоимость по сравнению с МПП;·
· возможность использования типового ТП изготовления ДПП и соответствующего оборудования;
отсутствие операций сверления и металлизации сквозных· отверстий;
улучшенные надежностные, массогабаритные, электрические· параметры;
согласованность с элементной базой по ТКДР;·
высокое· сопротивление изоляции между соседними и пересекающимися проводниками по сравнению с обычными ПП;
возможность выполнения ряда операций по· принципу рулонной технологии;
универсальность технологии, которая· позволяет перевести на единую конструктивно-технологическую базу коммутационные платы и мик-росборки и др.