Методика выполнения работы

Цели работы:изучение структуры БП транзистора и принципов его работы в открытом режиме; изучение выходной характеристики при работе транзистора по схеме с ОЭ.

Приборы и принадлежности: лабораторный модуль по электронике, электронный вольтметр и миллиамперметры.

Схема опыта

Рис. 3.8. Электрическая схема д
ля изучения выходной характеристики транзистора

В приведенной на рис. 3.8 схеме входной ток I_Б задается при помощи источника постоянного напряжения U₁и переменного резистора R₁. Выходное напряжение U_КЭ устанавливается с помощью источника U₂ и переменного резистора R₂.

Порядок проведения измерений

1. Перед началом работы проверьте правильность собранной схемы согласно рис. 3.8; установите соответствие измерительных приборов экспериментальной установки электрической схеме опыта.

2. Установите ручку регулировки резистора R₁в крайнее левое поло­жение (ток базы при этом должен быть близким к 0). Включите приборы. Изменяя напряжение U_КЭ при помощи регулировочного резистора R₂ через 1 В, снимайте значения тока коллектора I_К. Данные измерений занесите в табл. 3.2.

3. С помощью резистора R₁установите ток базы I_Б = 0,05-0,1 мА. Изменяя напряжение U_КЭ через 0,5-1 В, снимайте значения тока коллектора I_К. При проведении измерений необходимо с помощью реостата R₁поддерживать постоянное значение тока базы. Данные занесите в табл. 3.2.

4. Рассчитайте для напряжения U_КЭ = 1В по формуле 3.5 приближенное значение статического коэффициента передачи тока базы b_ст.

5. Повторите измерения согласно п. 3 для другого значения I_Б (по указанию преподавателя).

6. По данным эксперимента постройте графики исследуемых выход­ных характеристик. С помощью графических построений согласно рис. 3.6 определите приближенное значение напряжения Эрли U_Э .

Таблица 3.2

Контрольные вопросы

1. Структура биполярного транзистора; название слоев и переходов.

2. Типы транзисторов, их схемные обозначения, названия электродов. Какими примесями легируются различ­ные области транзистора?

3. Транзистор как четырехполюсник, включение источников напряже­ния в схемах с ОЭ, ОБ, ОК.

4. Природа тока через эмиттерный переход, коэффициент инжекции эмиттера, его примерные значения.

5. Природа тока базы; как влияет ширина базы и процессы рекомбина­ции носителей в базе на работу транзистора?

6. Природа тока в коллекторном переходе; формула для расчета тока коллектора. Объясните, почему коллекторный электрод делают более мас­сивным и в мощных транзисторах его крепят к теплоотводу?

7. Выходная характеристика транзистора; режимы работы транзистора, определение напряжения Эрли.

Список литературы

1. Спиридонов О. П. Физические основы твердотельной электроники: Учеб. пособие. – М.: Высш. шк. 2008. С. 128–140.

2. Безвербный А. В.: Физические основы электроники: Учеб. пособие. - Владивосток: ДВГМА, 1997. С. 58–75.

3. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника: Учеб. пособие. - Ростов н/Д: Феникс 2000, С. 54-82.

4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: - М. Энергия, 1984.

5. Пасынков В. В., Чирков А. К. Полупроводниковые приборы. - М.: Высш. шк. 1986. С. 48–53.

РАЗДЕЛ 4