ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТИРИСТОРА

Краткая теория

Структура тиристора; типы тиристоров

Тиристорами называют полупроводниковые приборы с двумя устойчи­выми режимами работы (открыт, закрыт), имеющие три или более р-п переходов. Обычно тиристор состоит из четырех слоев полупроводника с чередующимся типом проводимости. Слои (см. рис. 4.1, 4.2)называют эмиттерными*, они имеют (по сравнению с другими слоями) повышенную концентрацию примесей и являются эмит­терами дырок и электронов. Слои п₁и р₂называют базовыми, они должны быть достаточно тонкими, чтобы неосновные носители, эмиттированные из слоев , могли диффузно проходить через них. Различают тиристоры двух типов: неуправляемые и управляемые.

Неуправля­емые тиристоры (называются также диодными тиристорами или динисторами) имеют два электро­да – анод А (примыкает к эмиттерному слою p₁) и катод K (примыкает к эмиттерному слою n₂).

Рис. 4.1. Неуправляемый тиристор (динистор):

а – структура тиристора; б – схемное обозначение

Управляемые тиристоры имеют три вывода: анод А, катод K и управляющий электрод У (подсоединен к базовому слою р₂).

Рис. 4.2. Управ
ляемый тиристор:

а – структура тиристора; б – схемное обозначение

Пере­ходы П₁ и П₃ называются эмиттерными. Переход П₁является эмиттером дырок в базовый слой п₁, переход П₃ – эмиттером электронов в базовый слой р₂. Переход П₂ называют коллекторным, так как его режим рабо­ты схож с режимом работы коллекторного перехода биполярно­го транзистора. Все металлизированные контакты с полупроводниковыми слоями тиристора являются омическими (невыпрямляющими) контактами.