Метод сопротивления растекания.

1-ый метод ограничен по глубине залегания, 2-ой - трудоемок. Поэтому разработан 3-ий метод - двухзондовый.

Два зонда и сопротивление растекания определяется как: R_sr=r/2a, где r - удельное сопротивление вблизи зонда, a - радиус зонда. Этот метод чувствителен к локальным изменениям концентрации примеси.

Ионная имплантация

• Назначение и применение ионной имплантации
• Оборудование
• Фаза ионно-имплантированных ионов
• Механизм проникновения ионов в подложку
• Дефекты и способы их устранения
• Отжиг легированных структур

Назначение и применение ионной имплантации

Ионной имплантацией (ионным легированием) называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантирования.

Наиболее распространенным применением ИИ в технологии формирования СБИС является процесс ионного легирования кремния. Часто приходится проводить имплантацию атомов в подложку, которая покрыта одним или несколькими слоями различных материалов. Ими могут быть как тонкие слои тяжелых металлов (например, Та или TaSi₂), так и диэлектриков. Существование многослойной структуры способно вызвать резкие перепады в профиле легирования на границе отдельных слоев. За счет столкновения ионов с атомами приповерхностных слоев последние могут быть выбиты в более глубокие области легируемого материала. Такие "осколочные эффекты" способны вызвать ухудшение электрических характеристик готовых приборов.

Во многих случаях для получения необходимого профиля распределения легирующей примеси в подложке применяют метод, основанный на предварительной загонке ионов с их последующей термической разгонкой в мишени. При этом имплантация проводится с малой энергией ионов.

Общая траектория движения иона называется длиной пробега R, а расстояние, проходимое внедряемым ионом до остановки в направлении, перпендикулярном к поверхности мишени, проецированной длиной пробега R_p.

Применение ионной имплантации в технологии СБИС