Виды поляризации релаксационного типа.

В ряде диэлектриков электроны ионы и дипольные молекулы могут скачком переходить из одного положения в другое. Эти переходы осуществляются частицами благодаря получению ими энергии при тепловых колебаниях. Электрическое поле снижает энергетический барьер для перехода по полю и повышает энергетический барьер для перехода против поля. В итоге, диэлектрик поляризуется, причем для поляризации требуется время. Иначе говоря, эти виды поляризации являются релаксационными. Основные виды релаксационной поляризации - это дипольно-релаксационная, ионно-релаксационная и электронно-релаксационная поляризация.

Дипольно-релаксационная поляризация. Поляризация этого вида наблюдается во многих твердых и жидких диэлектриках с полярными группами: компаунды, бакелит, аминопласты и др. При дипольно-релаксационной поляризации происходит смещение полярных молекул или смещение радикалов, входящих в состав крупных молекул. Важно отметить, что дипольно-релаксационная поляризация сопровождается необратимыми потерями энергии при нахождении диэлектриков в переменном электрическом поле.

Диэлектрическая проницаемость полярных веществ сильно зависит от их температуры и частоты внешнего электрического поля. При низких температурах, когда подвижность молекул и радикалов, входящих в состав молекул, мала, поворот диполей на большие углы невозможен, и в материале наблюдается поляризация электронного упругого смещения и дипольно-упругая поляризация. В связи с этим диэлектрическая проницаемость полярных материалов при низких температурах мала (e=2-2,5). С возрастанием температуры подвижность диполей увеличивается, и облегчается их ориентация под действием внешнего поля. Следовательно, диэлектрическая проницаемость растет. Однако при дальнейшем росте температуры кинетическая энергия теплового движения диполей возрастает настолько, что броуновское движение диполей разрушает ориентацию, задаваемую внешним полем. Поэтому диэлектрическая проницаемость снижается (см. рис. 31). Таким образом, зависимость e=f(t) для веществ с дипольно-релаксационной поляризацией имеет характерную форму "холма".

Рис.31. Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и от частоты электрического поля (f1>f2).

Так как ориентация диполей по направлению поля осуществляется в процессе теплового движения, то наступление состояния поляризации требует времени. С увеличением вязкости возрастает время, необходимое для наступления поляризации. При увеличении частоты электрического поля время действия поля на диполи за половину периода уменьшается, а следовательно, уменьшается величина поляризации и снижается величина диэлектрической проницаемости. С увеличением частоты максимум диэлектрической проницаемости не только снижается, но и смещается в сторону высоких температур, то есть меньших вязкостей диэлектрика.

Ионно-релаксационная поляризация. Релаксационная поляризация также может быть связанной с перебросом из одного равновесного положения в другое слабосвязанных ионов или полярных групп. Типичными примерами являются переброс щелочных ионов (Na+,K+) из одного положения в другое в стеклах и переброс гидроксильных групп (ОН-) в целлюлозе. В этом случае говорят о ионно-релаксационной поляризации.

Электронно-релаксационная поляризация. В диэлектриках с кристаллической структурой, вместо части ионов в узлах кристаллической решетки могут находиться электроны и дырки (дополнительно ионизированные ионы). При приложении электрического поля эти дефекты кристаллической решетки также могут перебрасываться из одного положения в другое. В этом случае говорят об электронно-релаксационной поляризации. Зависимости диэлектрической поляризации от температуры и частоты внешнего поля качественно такие же, как и для дипольно-релаксационной поляризации.

Резонансная поляризация. При совпадении собственной частоты колебания структурной единицы вещества (электрона, иона, радикала, входящего в состав молекулы, или полярной молекулы) с частотой внешнего поля наблюдается резонансная поляризация. В этом случае в узком интервале частот резко возрастает диэлектрическая проницаемость. Очевидно, что резонансные частоты для поляризации упругого электронного и упругого ионного смещения очень велики (10¹⁶- 10¹³Гц), поэтому резонансная поляризация наблюдается для дипольно-релаксационной поляризации.

33.Электреты

Электретами называют диэлектрики, у которых постоянный электрический момент или избыточный заряд сохраняются длительное время. Электреты могут служить источниками электрического поля в окружающем пространстве, аналогично постоянным магнитам, являющимися источниками магнитного поля. Эта аналогия в свойствах постоянных магнитов и электретов отражена в их названии (по-английски постоянный магнит - magnet). В зависимости от способов получения различают термоэлектреты, фотоэлектреты, электроэлектреты, трибоэлектреты, радиоэлектреты.

Термоэлектреты. Впервые теромэлектрет был получен японским физиком Эгутси в 1921 году. В ванночку между двумя электродами заливалась смесь полярных диэлектриков карнаубского и пчелиного восков с добавлением канифоли, которая застывала при приложении напряжения между электродами. После застывания диэлектрика он являлся источником постоянного электрического поля.

При сравнительно слабых внешних полях (Е<10 кВ/мм) в термоэлектретах происходят в основном процессы поляризации. При этом стороны электрета, обращенные к электродам, имеют заряд противоположный по знаку заряду электрода. Такие электреты называют гетероэлектретами. При электризации в сильных полях (Е>10 кВ/мм), помимо поляризации, происходит эмиссия зарядов с поверхности электрода в диэлектрик. В этом случае поверхности диэлектрика, прилегающие к электродам, приобретают заряд одинаковый по знаку с зарядом электрода. Такие электреты называют гомоэлектретами.

Хорошие термоэлектреты получаются их диэлектриков с длинными полярными молекулами - полиамидов и поливинилацетатов. Для получения электретов также используют неорганические материалы: слюду, серу, сегнетоэлектрики. При получении электретов из неорганических сегнетоэлектриков не обязательно доводить их до плавления, достаточно нагреть их до температуры Кюри.

Фотоэлектреты и радиоэлектреты. Впервые фотоэлектрет был получен болгарским ученым Г. Наждаковым в 1937 году. Он нанес на металлический лист, служащий нижним электродом, слой серы. Через верхний сетчатый электрод сера освещалась. За счет внутреннего фотоэффекта в сере образовывались электроны и дырки, которые разносились действующим внешним полем к соответствующим электродам. После снятия внешнего поля вокруг пленки серы появлялась ЭДС.

Фотоэлектреты широко используются в ксерографии и моментальной фотографии.

При облучении диэлектриков g-квантами и потоками быстрых электронов они также электризуются. Такие диэлектрики принято называть радиоэлектретами. Как правило, радиоэлектреты готовят на основе неорганических стекол.

Трибоэлектреты. Трибоэлектретами принято называть материалы, электризующиеся при трении. Типичные представители трибоэлектретов - янтарь, эбонит, плексиглас. При трении происходит разрушение межатомных связей и перенос заряда с одной поверхности на другую.

32.Поверхностные дефекты кристаллических решеток и их влияние на свойства материалов.

31. Поверхностные дефекты кристаллических решеток . влияние энергии дефектов упаковки на механические свойства материалов

К поверхностным дефектам решетки относятся дефекты упаковки и границы зерен. Для понимания природы появления дефектов упаковки обратимся к геометрии заполнения кристаллической решетки в плотноупакованных материалах.

Рис. 17. Плотноупакованная плоскость

Предположим, что атомы представляют собой шары; тогда плотноупакованную плоскость можно создать, расположив атомы, как показано на рисунке 17.

Обозначим первый слой атомов буквой А. Для создания следующей плотноупакованной плоскости необходимо поместить атомы во впадины между атомами первого слоя. Как видно из рисунка 17, имеются два вида впадин: впадины типа В и впадины типа С. Очевидно, что одновременно во впадины обоих типов атомы расположить невозможно. Предположим, что второй слой атомов расположен во впадинах типа В, обозначим этот слой атомов В. Третий слой атомов можно расположить либо во впадины, совпадающие с центрами атомов первого слоя, либо во впадины второго типа не совпадающие с атомами первого слоя. В первом случае получается чередование слоев:

АВАВАВАВАВАВАВАВАВ...,

Во втором случае чередование слоев типа:

АВСАВСАВСАВСАВСАВС...,

Чередование слоев типа АВАВАВтипично для гексагональной плотноупакованной решетки, чередование слоев типа АВСАВСАВС – для гранецентрированной кубической решетки. При нарушении чередования слоев внутри одной решетки появляется прослойка другой решетки:

АВСАВСАВСАВАВСАВСАВС.

При этом кристаллическая решетка искажается, и ее энергия возрастает.

Появление дефектов упаковки связано с движением частичных дислокаций. Как отмечалось выше, при появлении дислокаций кристаллическая решетка искажается, и энергия системы возрастает на величину, пропорциональную квадрату вектора Бюргерса Е ~ кbк². Поэтому дислокации могут расщепляться на две частичные дислокации, b®b/2 +b/2. Это ведет к снижению энергии упругих искажений решетки вокруг дислокаций кb/2к² + кb/2к² < кbк².

При движении обычной полной дислокации атомы последовательно становятся из одного равновесного положения в другое, а при движении частичной дислокации атомы переходят в новые положения, нетипичные для данной кристаллической решетки. В результате в материале появляется дефект упаковки.

Данная ситуация иллюстрируется рисунком 18. Как видно из рисунка, при движении полной решеточной дислокации с вектором Бюргерса b атомы перемещаются из одних равновесных положений в другие (например, из положения В в положение В). При этом кристаллическая решетка вдали от дислокации остается правильной. При расщеплении полной дислокации на две частичные движение частичных дислокаций приводит к образованию дефекта упаковки. При этом энергия атомов, смещенных в положение С, повышается.

В том случае, когда энергия дефекта упаковки велика, расщепление дислокации на частичные энергетически невыгодно, а в том случае, когда энергия дефекта упаковки мала, дислокации расщепляются на частичные, и между ними появляется дефект упаковки. Можно строго доказать, что движение пары частичных дислокаций с дефектом упаковки между ними осуществляется сложнее, чем движение полной дислокации. Поэтому материалы с низкой энергией дефекта упаковки прочнее материалов с высокой энергией дефекта упаковки.

Другим видом поверхностных дефектов являются границы зерен, представляющие собой узкую переходную область между двумя кристаллами неправильной формы. Ширина границ зерен, как правило, составляет 1,5-2 межатомных расстояния. Поскольку на границах зерен атомы смещены из равновесного положения, то энергия границ зерен повышена. Энергия границ зерен существенно зависит от угла разориентации кристаллических решеток соседних зерен. При малых углах разориентации (до 5°) энергия границ зерен практически пропорциональна углу разориентировки. Такие границы называют малоугловыми. Строение малоугловых границ можно представить как скопление решеточных дислокаций.

Уменьшение расстояния между решеточными дислокациями (d) в малоугловых границах ведет к увеличению угла разориентировки (q) на границе q = 2 arctg(b/2d), или q » b/d (рис.19).

Участки кристалла, разделенные малоугловыми границами, принято называть субзернами. Если граница субзерен представляет собой сетку краевых дислокаций, то такую границу называют границей наклона, а если граница субзерен является скоплением винтовых дислокаций, то субграницу называют границей кручения. В общем случае, субграница может содержать компоненты кручения и наклона.

При углах разориентировки, превышающих 5°, плотность дислокаций на границах зерен становится столь высокой, что ядра дислокаций сливаются, и дальнейшее описание границ при помощи решеточных дислокаций становится невозможным. Границы, описание которых невозможно при помощи дислокационной модели, называют большеугловыми границами. Участки материала, отделенные большеугловыми границами, называют зернами или кристаллитами. Тело, содержащее большеугловые границы, является поликристаллом. Основная масса промышленных материалов является поликристаллическими.

Для большеугловых границ увеличение углов разориентировки соседних зерен ведет к появлению немонотонной зависимости энергии границ от угла разориентировки (рис. 20).

При определенных углах разориентации соседних зерен энергия границ зерен резко снижается. Такие границы зерен называются специальными. Соответственно углы разориентации границ, при которых энергия границ минимальна, называют специальными углами.

По современным представлениям, специальные границы соответствуют высокой плотности совпадающих узлов кристаллических решеток соседних атомов (рис. 21).

Рис. 21. Схема атомного строения случайных (а) и специальных (б) границ.

Специальные границы обозначают символом Sn, где n показывает, на сколько узлов решетки приходится совпадающий узел. Например, S7 означает, что каждый седьмой атом на границе зерен совпадает для кристаллических решеток обоих зерен. Границы зерен, углы разориентации которых отличаются от специальных, называют произвольными или случайными.

Поскольку на границах зерен атомы смещены из равновесных положений, энергия границ зерен повышена. В том случае, когда узлы кристаллической решетки одного зерна совпадают с узлами решетки другого зерна (случай специальной границы) энергия упругих искажений снижается.

При отклонении угла разориентации от специальных углов плотность совпадающих узлов резко падает, и энергия граница должна возрастать. Однако при небольших отклонениях от специальных углов энергия границ зерен остается ниже энергии произвольных границ. Для объяснения этого факта проведем следующее рассмотрение. Если соединить совпадающие узлы соседних зерен, то получится решетка узлов совпадения. Тогда, вводя в решетку узлов совпадения зернограничные дислокации, мы изменяем, угол разориентации аналогично тому, как скопления решеточных дислокаций увеличивают разориентацию соседних субзерен. При существенном отклонении от специальной ориентировки соседних зерен плотность зернограничных дислокаций становится настолько высокой, что граница становится произвольной.

Зернограничные дислокации не только экспериментально обнаружены методом просвечивающей электронной микроскопии, но и позволяют объяснять поведение материалов при различных условиях.

Так, результаты последних исследований свидетельствуют о том, что решеточные дислокации, входя в границы зерен, разбиваются на несколько зернограничных дислокаций с малыми векторами Бюргерса. В свою очередь, несколько зернограничных дислокаций могут сливаться, образуя решеточную дислокацию. Поэтому границы зерен являются источниками и стоками решеточных дислокаций. Поскольку границы зерен, как правило, извилистые, то движение зернограничных дислокаций путем скольжения невозможно. При переползании зернограничных дислокаций происходит поглощение или выделение вакансий.

При деформации материалов при низких температурах решеточные дислокации входят в границы зерен и расщепляются на зернограничные дислокации. Поскольку подвижность вакансий при низких температурах мала, то зернограничные дислокации не могут переползать в границах на значительные расстояния и скопления зернограничных дислокаций препятствуют вхождению в границы новых решеточных дислокаций. Иначе говоря, при низких температурах граница зерен являются, в основном, барьерами для решеточных дислокаций. Поэтому прочность материалов при низких температурах высока. При измельчении зерен количество препятствий для решеточных дислокаций увеличивается, и мелкозернистые материалы более прочны, чем крупнозернистые, при низких температурах.

При высоких температурах подвижность вакансий велика, и зернограничные дислокации, образующиеся при вхождении в границы зерен решеточных дислокаций, легко перемещаются вдоль границ зерен. Поэтому границы зерен в основном являются стоками для решеточных дислокаций. Следовательно, накопления решеточных дислокаций у границ зерен не происходит, и прочность материалов при высоких температурах снижается. Чем мельче зерна, тем больше суммарная протяженность границ зерен и меньше плотность решеточных дислокаций. Поэтому при высоких температурах мелкозернистые материалы имеют меньшую прочность, чем крупнозернистые.

Кроме того, измельчение зерен ведет к росту удельного электрического сопротивления металлических материалов и падению удельного электрического сопротивления диэлектриков и полупроводников.

30. жидкие кристаллы

Первым, кто обнаружил жидкие кристаллы, вернее, первым, кто понял, что это самостоятельное агрегатное состояние вещества, был австрийский ученый Рейнитцер. Исследуя синтезированное им вещество холестерилбензоат, он обнаружил, что при нагреве до 145° С кристаллы этого вещества плавятся, образуя мутную, сильно рассеивающую свет жидкость. При достижении температуры 179° С жидкость становится прозрачной. Неожиданные свойства проявила мутная фаза холестерилбензоата. Рассматривая ее под поляризационным микроскопом, Рейнитцер обнаружил, что она обладает двупреломлением. Явление двупреломления – это типично кристаллический эффект. Этот факт позволил предположить, что в жидкости содержатся кристаллиты, однако исследования Лемана показали, что мутная фаза однородна по составу и представляет собой новое фазовое состояние. Это состояние Леман назвал жидкокристаллическим, или мезофазой. «Мезос», в переводе с греческого языка, означает промежуточный, средний.

Для жидких кристаллов характерна сильная зависимость оптических свойств, а также высокая чувствительность оптических свойств к внешним электрическим и магнитным полям. Эти обстоятельство позволяет использовать жидкие кристаллы для изготовления различных индикаторов.

Понятием «жидкие кристаллы» обычно называют большое количество жидкокристаллических фаз с различными структурой и свойствами.

Нематики. Это название происходит от греческого «нема» (nhma), что означает нить. Молекулы таких веществ представляют собой образования со сравнительно большим молекулярным весом, причем их протяженность в одном направлении гораздо больше, чем в поперечных. Для характеристики ориентационного порядка нематиков вводится вектор единичной длины – директор, направление которого совпадает с направлением усредненной ориентации длинных осей молекул. Кроме того, вводится еще одна величина, параметр порядка S, которая характеризует степень ориентационного упорядочения молекул.

, (10)

где q - угол между направлениями директора и мгновенным направлением длинной оси молекул.

Очевидно, что параметр может принимать значения от 0 до 1. Значение S = 1 соответствует полной ориентационной упорядоченности, S = 0 означает полный ориентационный беспорядок и соответствует нематику, перешедшему в изотропную жидкость.

Интересен тот факт, что в нематическом состоянии не все молекулы имеют одинаковую ориентацию. Требования максимума энтропии системы приводят к тому, что на разных участках директор ориентирован по-разному. Поэтому в жидком кристалле появляются области с различными направлениями директора. Такие области, по аналогии с сегнетоэлектриками и ферромагнетиками, называют доменами. На границах раздела доменов меняется коэффициент преломления света, поэтому жидкие кристаллы выглядят мутными, если не принять специальных мер.

Смектики. Название произошло от греческого «смегма» (smhgma), что означает «мыло». В этих материалах, помимо ориентационной упорядоченности молекул, существует частичное упорядочение центров тяжести молекул. Иначе говоря, центры тяжести молекул организованы в слои, расстояние между которыми фиксированы. Слои молекул легко смещаются относительно друг друга, и смектики на ощупь мылоподобные. При плавлении таких веществ вначале образуется смектическая фаза, затем нематическая фаза, и только при более высоких температурах происходит переход в обычную изотропную жидкость. Для описания смектиков используется единичный вектор, задающий среднюю ориентацию молекул – директор и параметр порядка S. В зависимости от ориентации направления директора к нормали к плоскости слоя молекул принято различать смектики с различными структурами. Наиболее хорошо изучены смектики с структурой А и смектики с структурой С. У смектиков с структурой А директор направлен перпендикулярно плоскости слоя молекул.

Рисунок 8 Молекулярное упорядочение в смектиках с структурой А и С.

У смектиков с структурой С директор направлен не по нормали к слою молекул, а образует с ним некоторый угол. Схематическое расположение молекул в смектиках с структурой А и С показано на рисунке 8.

Xлестерики. Структура таких жидких кристаллов похожа на структуру нематиков. Однако директоры соседних молекул смещены относительно друг друга, в результате чего образуется холестерическая спираль. Такая фаза ведет себя по отношению к падающему излучению подобно интерференционному фильтру. Поскольку шаг спирали составляет величину порядка 300 нм, то белый свет раскладывается в спектр. Иначе говоря, если плоский слой холестерического жидкого кристалла освещать белым светом, то в отраженном свете он будет выглядеть окрашенным, причем окраска будет зависеть от угла наблюдения и от температуры. При изменении температуры меняется шаг винтовой спирали, что и определяет влияние температуры на окраску холестериков. Цветовые термоиндикаторы успешно применяются для технической и медицинской диагностики. Они позволяют легко получить картину теплового поля в виде цветовой диаграммы. Кроме того, холестерики могут использоваться для визуализации СВЧ полей.

29.Определение индексов плоскостей и направлений в кристаллах

Узлы (положения атомов), направления в плоскости и в пространстве обозначаются с помощью так называемых индексов Миллера (рис. 2.3). Индексы узла записываются – (mnp), индексы направления - [mnp], индекс плоскости - (hk1).

Рис. 2.3. Символы некоторых важнейших узлов, направлений и плоскостей в кубической решётке

Вследствие неодинаковой плотности атомов в различных плоскостях и направлениях решётки многие свойства отдельно взятого кристалла (химические, физические, механические) по данному направлению отличаются от свойств в другом направлении и, естественно, зависят от того, сколько атомов встречается в этом направлении. Различие свойств в зависимости от направления испытания носит название анизотропии. Все кристаллы анизотропны. Анизотропия – особенность любого кристалла, характерная для кристаллического строения.

Технические металлы являются поликристаллами, т.е. состоят из совокупности кристаллитов с различной ориентацией. При этом свойства во всех направлениях усредняются.

Правила.

1)выбрать систему отсчета(любой произвольный атом в кристаллической решетке)

2)оси по возможности располагают перпендикулярно друг другу и располагают их так, чтобы расстояние между атомами были минимальным

3) за единицу отсчета – расстояние между атомами

Чтобы найти направление, из начала отсчета проводят вектор параллельный направлению и записывают координаты угла, которого досигнет этот вектор.

28.Объемные дефекты кристаллов и их влияние на свойства материалов

К объёмным, или трехмерным дефектам кристаллической решетки относятся трещины и поры. Наличие трещин резко снижает прочность как материалов на металлической основе, так и неметаллических материалов. Это связано с тем, что острые края трещин являются концентраторами напряжений. Важно отметить, что при одинаковой геометрии трещин пластичность металлических материалов остается выше, чем неметаллических. Природа этого различия состоит в том, что в металлических материалах в области концентрации напряжений облегчается генерация дислокаций, и пластическая деформация материала приводит к затуплению трещин. В неметаллических материалах кристаллическая решетка упакована неплотно, подвижность дислокаций невелика, следовательно, затупление острых краев трещин за счет пластической деформации невозможно.

Присутствие в материале пор также снижает прочность металлических материалов, поскольку уменьшается истинное сечение деталей. В неметаллических материалах влияние пор на свойства материала не столь однозначно. Крупные поры снижают прочность материала, поскольку уменьшается сечение изделий. В то же время мелкие поры могут повышать прочность материалов. Это связано с тем, что при возникновении пор появляется свободная поверхность. У атомов, находящихся на свободной поверхности, количество соседей резко отлично от количества соседей атомов в глубинных слоях материала, следовательно, энергия атомов на поверхности материала повышена. Первая производная поверхностной энергии по расстоянию является поверхностным натяжением. Таким образом, на атомы, находящиеся на поверхности пор, действуют сжимающие напряжения. Неметаллические материалы с ионной или ковалентной связью между атомами хорошо сопротивляются действию сжимающих и плохо противостоят действию растягивающих напряжений. При всех реальных схемах нагружения (например, изгиб) в материале возникают как растягивающие, так и сжимающие напряжения. При наличии пор сжимающие напряжения на их поверхности компенсируют внешние растягивающие напряжения. Поэтому присутствие мелких пор ведет к росту прочности неметаллических материалов.

Поскольку энергия атомов на поверхности объёмных дефектов повышена, то они являются источником вакансий. При нагреве трещины и поры как бы "испаряются", превращаясь в вакансии. При охлаждении вакансии вновь "конденсируются". При "конденсации" вакансионного "пара" система стремится к минимуму энергии, а следовательно, к минимуму поверхностной энергии. Таким образом, при нагреве и последующем охлаждении острые трещины превращаются в сферические поры, то есть за счет чередования нагрева с охлаждением можно превращать опасные трещины в менее опасные поры.

Уменьшение сечения материала при наличии пор и трещин, а также искажение кристаллической решетки вблизи их поверхности приводит к повышению удельного электросопротивления металлических материалов. В неметаллических материалах наличие объёмных дефектов снижает удельное электросопротивление вследствие повышения подвижности ионов по вакансиям в материалах с ионной связью и облегчения выхода электронов в материалах с ковалентной связью.

27. Металлические материалы высокой электропроводности.

К материалам высокой электропроводности предъявляются следующие требования:

· Высокая электропроводность

· Высокая механическая прочность

· Технологичность - то есть способность к сварке, пайке, высокая пластичность.

· Высокая коррозионная стойкость.

· Низкая стоимость.

Очевидно, что высокой электропроводностью будут обладать чистые непереходные металлы с ГЦК решеткой (Ag, Cu, Al, Au).

Высокой механической прочностью будут обладать металлы с низкой энергией дефекта упаковки или сплавы металлов. Однако в случае образования твердого раствора помимо роста прочности увеличивается и удельное электросопротивление. Поэтому для материалов высокой электропроводности используют лишь такое легирование, когда компоненты не растворяются друг в друге. Так, например алюминий легируют магнием и кремнием, которые образуют интерметаллидное соединение, или легируют плохо растворяющимся в алюминии марганцем.

Что касается технологичности, то у всех металлов с ГЦК решеткой высокая пластичность, следовательно, из них легко получаются изделия методами обработки давлением. Поэтому проблема технологичности сводится в легкости пайки и сварки.

Рассмотрим свойства наиболее часто применяемых материалов высокой электропроводности.

Серебро

Наибольшую электропроводность из всех металлов имеет серебро. При комнатной температуре его удельное электрическое сопротивление составляет 0,0150 мкОмґм. Серебро пластично - относительное удлинение при растяжении порядка 50%. Кроме того, серебро обладает высокой теплоемкостью и теплопроводностью и высокой коррозионной стойкостью. У серебра высокая плотность - 10,49 Мг/м³, что в сочетании с плотноупакованной ГЦК решеткой свидетельствует о малом радиусе иона. Поэтому серебро активно диффундирует в керамику, что позволяет создавать прочные покрытия керамики серебром (керамические конденсаторы).

К недостаткам серебра как проводникового материала относятся его стоимость, а также взаимодействие серебра с серой с образованием Ag₂S. Сульфид серебра относится к вырожденным полупроводникам. С одной стороны, образование сульфида серебра повышает электрическое сопротивление поверхностных слоев, что не допустимо в высокочастотной технике. С другой стороны, в определенных условиях кристаллы сульфида серебра растут в виде тонких усов и в ходе роста могут замыкать участки электрической цепи. Поэтому не рекомендуется применять серебро по соседству с эбонитом, резиной и другими материалами, содержащими серу.

Медь

Медь – обладает достаточно малым удельным электросопротивлением (0,0168 мкОмґм), пластична и обладает высокой прочностью. Хотя медь относится к той же подгруппе что и серебро и золото, но она более активна и образует соединения с О₂, СО₂, Н₂О. Поэтому при пайке и сварке меди приходится использовать флюсы – вещества, удаляющие с поверхности материала оксиды. Важно отметить, что химические соединения меди нестойки и удаляются простейшим флюсом – раствором канифоли в спирте или ацетоне. Поэтому медь достаточно технологична.

Наибольшее распространение получила медь марок М1 (99,90% Cu) и М0 (99,95% Cu). Основной примесью в меди является кислород, присутствующий в виде закиси меди. В электровакуумной технике применяют безкислородную медь.

Алюминий

Удельное сопротивление алюминия в 1,6 раз выше удельного сопротивления меди, но алюминий в 3,5 раза легче меди. Благодаря этому при одинаковом сопротивлении и одинаковой длине алюминиевые провода в два раза легче медных, несмотря на большее поперечное сечение. К тому же алюминий дешевле меди. Указанные обстоятельства привели к широкому применению алюминия в электротехнике.

Недостатком алюминия является низкая механическая прочность. Отожженный алюминий в три раза менее прочен на разрыв, чем отожженная медь. Для повышения прочности алюминий легируют элементами, плохо растворяющимися в основном металле, или образующими интерметаллидные соединения. Так, при легировании алюминия магнием и кремнием в алюминиевой матрице образуются частицы силицида магния, затрудняющие движение дислокаций. При таком легировании решетка алюминия остается неискаженной и электропроводность алюминия практически не изменяется.

Характерной особенностью алюминия является наличие на его поверхности химически стабильной пленки Al₂O₃. Окисная пленка затрудняет пайку алюминия.

26. Межатомное взаимодействие. Влияние энергии межатомного взаимодействия на свойства материалов.

Любой материал представляет собой продукт взаимодействия огромного количества атомов, и свойства материала зависят от характера взаимодействия этих атомов. Зная характер взаимодействия атомов, можно прогнозировать свойства материалов. Поскольку взаимодействие множества атомов анализировать достаточно сложно, вначале для простоты рассмотрим взаимодействие двух атомов.

Между двумя атомами действует сила притяжения. Позже мы докажем, что сила притяжения по природе является кулоновской, следовательно, она убывает обратно пропорционально квадрату расстояния между атомами. Помимо силы притяжения, между атомами действует и сила взаимного отталкивания, которая обратно пропорциональна расстоянию в степени n, где n больше 2. Складывая силы притяжения и отталкивания, получаем результирующую силу взаимодействия двух атомов (рис 1 а). При расстоянии между атомами, равном r_О силы притяжения и отталкивания взаимно компенсируют друг друга, результирующая сила взаимодействия равна нулю, и это расстояние является наиболее устойчивым.

Рис.1. Зависимость сил взаимодействия между атомами (а) и энергии потенциального взаимодействия (б) от расстояния между атомами.

Оценим энергию потенциального взаимодействия двух атомов как работу, с обратным знаком, по перемещению иона из бесконечности в данную точку. Геометрическое интегрирование дает зависимость, показанную на рисунке 1 б.

Из рисунка 1 б видно, что при минимальной энергии потенциального взаимодействия расстояние между соседними ионами равно r_О. Увеличение энергии системы двух атомов (например, за счет роста тепловой энергии) ведет к появлению возможности взаимного смещения атомов относительно друг друга, причем с ростом энергии системы амплитуда колебаний возрастает. Другой интересной особенностью влияния температуры на свойства материалов является термическое расширение. Как видно из рисунка 1 б, кривая потенциального взаимодействия (или потенциальная кривая) асимметрична, поэтому при росте температуры среднее расстояние между атомами увеличивается, и линейные размеры тел увеличиваются. Изменение линейных размеров тела при нагреве описывается коэффициентом теплового расширения: a_Т = (1/L)(dL/dT). Как видно из рис. 2б) коэффициент теплового расширения снижается при увеличении глубины потенциальной ямы.

Рис. 2. Зависимость энергии потенциального взаимодействия (Wp) от расстояния между атомами (x) для случая взаимодействия множества атомов.

В том случае, когда взаимодействует множество атомов, смещение любого из них приводит к росту энергии системы, Поэтому потенциальную кривую можно представить в виде периодической функции (рис. 2). При минимуме энергии системы расстояния между атомами одинаковы и равны r₀. Вдоль любого направления расстояния будут равны r₀, хотя эти расстояния по разным направлениям будут разными. Расстояние между атомами вдоль какого-либо направления принято обозначать а.

Для переброса атома из одного равновесного положения в другое требуется повышение энергии. Поэтому в том случае, когда энергия системы минимальна или незначительно отличается от минимальной, атомы не могут перемещаться из одного по