Б. Область нижних частот (НЧ)

В области нижних частот FН, XС0 становится еще большим и подтверждает правую часть неравенства (2.3), поэтому C0 можно пренебречь.

С понижением частоты FН, реактивное сопротивление раз­делительного конденсатора ХСр увеличивается, что приводит к увеличению потерь полезного сигнала на нем и завалу АЧХ (частотным искажениям), поэтому пренебрегать им нельзя и он присутствует в схеме.  
Рис.18 Эквивалентная схема в области НЧ.

Частотные искажения, вносимые разделительными конденсаторами СР, будут минимальными, если их емкость рассчитывать по формуле:

СР > (2.4)
2πFН (RВЫХ + RН~)√  
МН2 - 1

Пример 1. Рассчитать ёмкость межкаскадного разделительного конденсатора для типового режима: Мн = 1,2 дБ (1,148), Fн = 20Гц

RВЫХ = 2 кОм (1…3 кОм – для схемы с ОЭ)

RН~ = 4 кОм (2…6 кОм – для схемы с ОЭ)

 

СР > = 2,3 мкФ
2 3,14 20(2 + 4) 103  
1,1482 - 1

Стандартный номинал межкаскадного СР = 5 мкФ. Им может быть полярный электролитический конденсатор любого типа.

 

- 14 -

 

Пример 2. Рассчитать ёмкость выходного разделительного конденсатора, работающего на полное сопротивление звуковой катушки громкоговорителя:

RВЫХ = 10 Ом (5…20 Ом для усилителей мощности)

RН~ = 4 Ом (4…8 Ом – соп-ие громкоговорителя)

СР > = 1015,5 мкФ
2 3,14 20 (10 + 4)√  
1,1482 - 1

Стандартный номинал выходного Ср=1000 мкФ.

Таким образом, можно сделать вывод, что разделительные конденсаторы вносят частотные искажения в области НЧ, а их ёмкость зависит от сопротивления последующих цепей и может отличаться в сотни и тысячи раз.

В области нижних частот частотные искажения могут также создаваться за счёт цепей эмиттерной стабилизации RЭCЭ. Это объясняется тем, что с уменьшением частоты входного сигнала возрастает сопротивление конденсатора Сэ, шунтирующего резистор , и на нём образуется напряжение OOC, которое уменьшает коэффициент усиления каскада, вызывая завал АЧХ и частотные искажения.

Они будут минимальными, если ёмкость СЭ выбрать из условия:

СЭ > h21Э (2.5)
2πFН (RЭ + h1)√  
МН2 - 1

 

Пример 3. Рассчитать ёмкость Сэ, включённую в эмиттер транзистора V1, для которого: h21э = 80, h11э = 1200 Ом, RЭ = 1кОм.

СЭ > = 513,5 мкФ
2 3,14 20 (1 + 1,2)103  
1,1482 - 1

Стандартный номинал СЭ = 470 мкФ.

 






Дата добавления: 2016-07-05; просмотров: 1240; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2022 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.007 сек.