Б. Область нижних частот (НЧ)
В области нижних частот FН, XС0 становится еще большим и подтверждает правую часть неравенства (2.3), поэтому C0 можно пренебречь.
С понижением частоты FН, реактивное сопротивление разделительного конденсатора ХСр увеличивается, что приводит к увеличению потерь полезного сигнала на нем и завалу АЧХ (частотным искажениям), поэтому пренебрегать им нельзя и он присутствует в схеме. | |
Рис.18 Эквивалентная схема в области НЧ. |
Частотные искажения, вносимые разделительными конденсаторами СР, будут минимальными, если их емкость рассчитывать по формуле:
СР > | (2.4) | |
2πFН (RВЫХ + RН~)√ | ||
МН2 - 1 |
Пример 1. Рассчитать ёмкость межкаскадного разделительного конденсатора для типового режима: Мн = 1,2 дБ (1,148), Fн = 20Гц
RВЫХ = 2 кОм (1…3 кОм – для схемы с ОЭ)
RН~ = 4 кОм (2…6 кОм – для схемы с ОЭ)
СР > | = 2,3 мкФ | |
2∙ 3,14∙ 20∙(2 + 4) ∙103 √ | ||
1,1482 - 1 |
Стандартный номинал межкаскадного СР = 5 мкФ. Им может быть полярный электролитический конденсатор любого типа.
- 14 -
Пример 2. Рассчитать ёмкость выходного разделительного конденсатора, работающего на полное сопротивление звуковой катушки громкоговорителя:
RВЫХ = 10 Ом (5…20 Ом для усилителей мощности)
RН~ = 4 Ом (4…8 Ом – соп-ие громкоговорителя)
СР > | = 1015,5 мкФ | |
2∙ 3,14∙ 20∙ (10 + 4)√ | ||
1,1482 - 1 |
Стандартный номинал выходного Ср=1000 мкФ.
Таким образом, можно сделать вывод, что разделительные конденсаторы вносят частотные искажения в области НЧ, а их ёмкость зависит от сопротивления последующих цепей и может отличаться в сотни и тысячи раз.
В области нижних частот частотные искажения могут также создаваться за счёт цепей эмиттерной стабилизации RЭCЭ. Это объясняется тем, что с уменьшением частоты входного сигнала возрастает сопротивление конденсатора Сэ, шунтирующего резистор Rэ, и на нём образуется напряжение OOC, которое уменьшает коэффициент усиления каскада, вызывая завал АЧХ и частотные искажения.
Они будут минимальными, если ёмкость СЭ выбрать из условия:
СЭ > | h21Э | (2.5) |
2πFН (RЭ + h11Э)√ | ||
МН2 - 1 |
Пример 3. Рассчитать ёмкость Сэ, включённую в эмиттер транзистора V1, для которого: h21э = 80, h11э = 1200 Ом, RЭ = 1кОм.
СЭ > | = 513,5 мкФ | |
2∙ 3,14∙ 20∙ (1 + 1,2) ∙103√ | ||
1,1482 - 1 |
Стандартный номинал СЭ = 470 мкФ.
Дата добавления: 2016-07-05; просмотров: 1753;