Эквивалентные схемы замещения полевых транзисторов

Соотношениям, полученным в предыдущем разделе, соответствуют эквивалентные схемы замещения выходной цепи транзистора в виде генератора тока (рис.2.39, а) и в виде генератора напряжения (рис.2.39, б). На высоких частотах в эквивалентной схеме полевого транзистора учитывают межэлектодные емкости C_зи, C_зс, C_си . Крутизна характеристики - величина непостоянная. С ростом отрицательного смещения на затворе полевого транзистора с управляющим p-n-переходом крутизна уменьшается.

а) б)

Рис.2.39. Эквивалентные схемы замещения полевого транзистора:

а) с источником тока,

б) с источником напряжения

В соответствии с зависимостью

.

Увеличение удельного сопротивления канала при росте температуры ведет к уменьшению тока стока. С другой стороны, с ростом температуры уменьшается запирающее напряжение на p-n-переходе (примерно на 2 мВ/К), что приводит к увеличению тока стока. При правильном выборе рабочей точки ток стока остается почти постоянным в широком диапазоне температур. Рабочую точку, в которой изменение тока стока с изменением температуры имеет минимальное значение, называют термостабильной точкой. Ее ориентировочное положение можно найти из уравнения

U_зи = U_отс – 0,63 В.

В усилительных каскадах полевой транзистор включают по схемам с общим истоком, общим стоком и общим затвором. Наиболее широко используется схема с общим истоком, так как она имеет максимальный коэффициент усиления по напряжению и по мощности.