Эквивалентные схемы режима малых сигналов

Наиболее простая эквивалентная схема режима малых сигналов биполярного транзистора (рис.2.10) строится на основе уравнений режима малых сигналов при S_n=0:

, .

Рис.2.10. Эквивалентная схема транзистора на низких частотах

Приведенная эквивалентная схема для расчета характеристик транзисторных схем в режиме малых сигналов на низких частотах (до 10 кГц), поэтому ее часто называют низкочастотной.

Уравнения, описывающие биполярный транзистор для режима малых сигналов, можно представить в матричной форме:

.

Записанные выше матричные уравнения соответствуют представлению четырехполюсника в терминах проводимости

.

Индекс «э» указывает на схему с общим эмиттером.

Часто используют представление четырехполюсника с помощью h-параметров и матрицы H_э:

.

Между параметрами четырехполюсников, на основании которых стоятся те или иные схемы замещения и параметрами транзистора существуют соотношения, на основании которых эти параметры могут быть рассчитаны:

, ,

, ,

.

Чтобы получить представление о характеристиках транзисторных схем на более высоких частотах необходимо воспользоваться высокочастотной эквивалентной схемой для режима малых сигналов. Такие схемы строят на основе физических параметров, учитывающих кроме статических, динамические свойства транзисторов. Динамические свойства транзисторов учитывают вводя в схему замещения емкости, наиболее существенными из которых являются: диффузионная емкость открытого эмиттерного перехода C_д и барьерная емкость закрытого коллекторного перехода C_кб. В итоге в наиболее простом представлении эквивалентная схема транзистора на малом гармоническом сигнале имеет вид, показанный далее на рис.2.11.

Рис.2.11. Эквивалентная схема транзистора на высоких частотах