А) Определяется механическими и тепловыми свойствами

б) Зависит от температурного коэффициента уд. электрического сопротивления

в) Зависит от ширины запрещенной зоны (+)

14.Частотные характеристики на основе полупроводников зависят главным образом от:

а) Подвижности носителей заряда (+)

б) Ширины запрещенной зоны

в) Степени легирования полупроводника

15.Наибольшее практическое применение для изготовления полупроводниковых дискретных приборов находят:

А) Поликристаллы кремния

б) Аморфный кремний

в) Монокристаллы кремния (+)

16.Чему равен верхний предел рабочих температур приборов на основе германия, (кремния)?

а) 200 ^оС (70 ^оС)

б) 200 ^оС (400 ^оС)

в) 70 ^оС (200 ^оС) (+)

17.Какую группу приборов принципиально невозможно изготовить из кремния и германия?

А) Диоды, тиристоры, солнечные батареи

б) Диоды, датчики Холла, транзисторы

в) Фотодиоды, светодиоды, туннельные диоды (+)

18.Имеется два образца германия. При нормальных условиях 1-й образец имеет удельное электрическое сопротивление – 0.47 Ом∙м: 2-й – 0.07 Ом∙м. Какой из этих образцов был легирован примесью?

а) 1-й

б) 2-й (+)

в) Этих сведений недостаточно

19.Удельная проводимость полупроводника n-типа в области низких температур определяется:

А) Собственной электропроводностью

б) Примесной электропроводностью

в) Это зависит от соотношения ширины запрещенной зоны и тепловой энергии носителей заряда при данной температуре. (+)

20.Температурныйкоэффициент сопротивления полупроводников:

а) Имеет отрицательный знак (+)

б) Имеет положительный знак

в) Знакопеременная величина

21.Какими носителями заряда обусловлен обратный ток p-n перехода?

А) Основными носителями заряда

б) Собственными носителями заряда

в) Не основными носителями заряда (+)

22.p-n переход можно использовать для создания конденсатора переменной емкости, если он включен:

а) В обратном направлении (+)

б) В прямом направлении

в) При наличии диэлектрической пленки между p и n областями

23.Свойства p-n –перехода не используют при создании следующих приборов:

а) Фоторезисторов, тензорезисторов (+)

б) Полупроводниковых лазеров, солнечных батарей

в) Диодов, транзисторов, тиристоров

24.Цвет излучения полупроводниковых светодиодов определяется:

А) Температурой

б) Концентрацией примеси

в) Шириной запрещенной зоны (+)

25.Халькогенидами называют химические соединения:

а) Металлов с селеном, серой и теллуром (+)

б) Металлов с кислородом и серой

в) Соединения со структурой сфалерита

26.Халькогениды находят широкое применение для изготовления:

а) Люминофоров, термоэлектрических преобразователей, лазеров (+)

б) Транзисторов, туннельных диодов

в) Варисторов, варикапов, варикондов

27.Германий и кремний являются: