Полупроводниковые материалы

Германий. Один из наиболее хорошо изученных полупроводников. Упрощенная технологическая схема производства германия показана ниже:

германийсодержащая руда <- концентрированная НС1

тетрахлорид германия <— глубокая очистка (экстракция и ректификация)

очищенный GeCLt гидролиз водой дихлорид германия GeOs просушка Ge02 <- восстановление в токе Н2 при 650°С

Ge металлический <- травление в смеси кислот

сплавление в слитки <- очистка зонной плавкой

выращивание монокристаллов по Чохральскому.

При зонной очистке вдоль горизонтально расположенного образца создается 4—5 узких расплавленных зон, перемещающихся вдоль слитка. Примеси оттесняются к концу слитка. Процесс повторяют много раз. Монокристаллы германия можно создавать диаметром до 300—500 мм. Германий применяется для изготовления диодов различных типов, транзисторов, датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений и в ПК— оптике. Рабочий диапазон германиевых приборов, фотодиодов и фототранзисторов от —60 до +70°С.

Кремний полупроводниковой чистоты получается по следующей технологии:

превращение технического кремния в легколетучее соединение;

очистка соединения физическими и химическими методами;

восстановление соединения, выделение чистого кремния;

очистка кремния бестигельной зонной плавкой;

выращивание монокристаллов.

Метод бестигельной зонной плавки позволяет получать кристаллы кремния до 100 мм. Схема этого метода показана на рис. 2.12. Кремниевые приборы благодаря большей, чем у германия ширине запрещенной зоны, могут работать при более высоких температурах, чем германиевые. Верхний предел рабочей температуры достигает у кремниевых приборов 180-200°C.

Кремний является пока единственным материалом для изготовления БИС и микропроцессоров.

Кремний удается наращивать на монокристаллы или на инородные подложки при толщине слоя 5—10 мкм. Этот процесс производится при температуре, меньшей температуры плавления и называется эпитаксией, при наращивании кремния на инородных подложках, например, на сапфире — гетеро-эпитаксией. Такие структуры используются как основа ИС наиболее быстродействующих, энергоемких и радиационно стойких.

Селен — элемент VI группы таблицы Менделеева, обладающий рядом интересных электрических свойств. Применяется для изготовления выпрямителей переменного тока, фотоэлементов, а также в технологии красок, пластмасс, керамики, как легирующая добавка при производстве стали, в электрофотографии.

Теллур — элемент VI группы таблицы Менделеева с шириной запрещенной зоны 0,35 эВ. Применяется в виде сплавов с сурьмой и свинцом для изготовления термоэлектрических генераторов. Некоторые характеристики германия, кремния, селена приведены в табл. 2.2

 

Таблица 2.2

Свойства Германий Кремний Селен
Атомный номер
Температура плавления, °С
Собственное уд. Сопротивление при 20°С, Ом·м 0,47 2*103  
Собственная концентрация носителей, м -3 2*1019 2*1016  
Ширина запрещенной зоны, эВ при 0 К при 300 К 0,74 0,65 1,165 1,12 2,5 2,0
Подвижность электронов, м /(В·с) 0,39 0,14  
Подвижность дырок, м2/В·с 0,19 0,05 0,2 *10-4

 

Карбид кремния —SiС — бинарное соединение с большой шириной запрещенной зоны 2,8—3,1 эВ в зависимости от модификации. Карбид кремния — одно из наиболее твердых веществ, полупроводниковые приборы из которого могут работать при высоких температурах вплоть до 700°С. Карбид кремния устойчив против окисления до температур свыше 1400°С. При комнатной температуре он не взаимодействует ни с какими кислотами.

Карбид кремния применяется для изготовления варисторов (нелинейных резисторов), светодиодов, высокотемпературных диодов, транзисторов, тензорезисторов, счетчиков частиц высоких энергий, способных работать в химически агрессивных средах. В электротехнике карбид кремния применяется для изготовления вентильных разрядников, предназначенных для защиты от перенапряжений аппаратуры и линий передачи высокого напряжения. Карбид кремния применяется для изготовления силитовых стержней для электрических печей на максимальные температуры до 1500°С. Силитовые стержни изготовляются на основе карбида кремния, кристаллического кремния и углерода.

Бинарные соединения—соединения А3В5 классифицируют по металлоидному элементу. Различают нитриды, фосфиды и антимониды. Особое место среди них занимает арсенид галлия, отличающийся большой шириной запрещенной зоны (1,4 эВ) и высокой подвижностью электронов (0,85 м2/(B·c). Он используется для изготовления приборов, работающих при высоких температурах и высоких частотах, для инжекционных лазеров, светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, транзисторов, солнечных батарей и других приборов.

Широко применяются антимонид индия, фосфид галлия, антимонид галлия.

Соединения А2B6, к которым относятся халькогениды цинка, кадмия, ртути, сульфиды, селенилы, теллуриды применяются для изготовления фоторезисторов, высоковольтных датчиков Холла, в инфракрасной технике для создания промышленных люминофоров и др.


Контрольные вопросы к разделу






Дата добавления: 2021-12-14; просмотров: 88; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2022 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.014 сек.