Тема 1.11. Проверка исправности тиристоров.

Тиристоры проверяются омметром аналогично диодам и транзисторам, т.е. проверкой целостности p-n переходов.

Структура тиристора: А – анод; К – катод; УЭ – управляющий электрод.

Схема проверки на пробой участка анод-катод

Сопротивление участка «анод-катод» при смене полярности подключаемого омметра должно быть одинаковым и равным бесконечности - ∞.

Схема проверки участка «катод - управляющий электрод» на обрыв

В исправном тиристоре при смене полярности, подаваемого на этот участок напряжения его сопротивление должно быть одинаковым и равным 50 ÷ 500 Омв зависимости от мощности тиристора.

Проверка способности тиристора к включению

Для того, чтобы включить (открыть) тиристор необходимо на управляющий электрод подать короткий положительный импульс относительно катода. В результате средний p-n переход также открывается и сопротивление участка анод-катод резко уменьшается, т.е. тиристор включается.

Этот процесс осуществляется при условии, что обеспечивается необходимый для данного тиристора ток включения. После этого тиристор должен оставаться открытым сколь угодно долго при условии, что ток удержания для данного тиристора соответствует справочным данным.

Иногда при наладке электрооборудования необходимо знать напряжение включения и ток включения конкретного тиристора.

Для этого на выходе источника питания ИП1 устанавливают напряжение 12 В, а выходное напряжение источника ИП2 увеличивают постепенно от нуля до момента включения тиристора. Момент открывания тиристора фиксируется амперметром PA (ток включения) и вольтметром PV1 (напряжение включения). Кроме этого можно определить еще один параметр - прямое падение напряжения на тиристоре – вольтметр PV2.

СР Тема 1.12. Проверка исправности полупроводниковых элементов специальными стационарными приборами и вольтметром.

Для более точной проверки исправности, а также определения параметров диодов и транзисторов используются измерители статических параметров, например Л2-50. Транзистор или диод подключаются к соответствующим клеммам прибора, после чего производится замер параметров. Измеренные параметры сравниваются со справочными данными диода или транзистора, и если они отличаются, то делается вывод о его непригодности.

Измеряемые параметры транзисторов:

1. Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току)

2. Обратный ток эмиттерного и коллекторного переходов

3. Напряжение насыщения транзистора

4. Начальный ток коллекторного перехода

Измеряемые параметры диодов:

1. Обратный ток

2. Прямое падение напряжения на переходе

3. Напряжение стабилизации стабилитрона

4. Дифференциальное сопротивление стабилитронов

Исправность полупроводниковых приборов можно проверить, не выпаивая их из схемы при подключенном источнике питания. Для этого измеряют вольтметром напряжения на выводах элементов относительно общего провода.

Сравнивая полученные данные с напряжениями, указанными на принципиальной схеме, делают вывод об исправности элемента.

Если измеряемые напряжения отличаются от указанных на схеме на ±20 % и более, то можно сделать вывод о неисправности полупроводникового элемента, но :