Правила монтажа и эксплуатации полупроводниковых приборов

Во избежание повреждения полупроводниковых приборов при монтаже необходимо обеспечить неподвижность их выводов вблизи корпуса. Для этого следует изгибать выводы на расстоянии не менее 3...5 мм от корпуса и выполнять пайку низкотемпературным припоем ПОС-61 на расстоянии не менее 5 мм от корпуса прибора с обеспечением теплоотвода между корпусом и местом пайки. При расстоянии от места пайки до корпуса 8...10 мм и более ее можно производить без дополнительного теплоотвода (в течение 2...3 с).

Перепайка в монтаже и замена отдельных деталей в схемах с полупроводниковыми приборами должна производиться при от-ключенном питании паяльником с заземленным жалом. При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, необходимо сначала присоединить базу, затем эмиттер, а потом коллектор. Отключение транзистора от схемы без снятия напряжения выполняется в обратной последовательности.

Для обеспечения нормальной работы полупроводниковых приборов на полной мощности необходимо использовать дополнительные теплоотводы. В качестве теплоотводов применяются ребристые радиаторы из красной меди или алюминия, которые надеваются на приборы. При проектировании схем с широким температурным диапазоном работы следует учитывать, что при по вышении температуры снижается не только допустимая мощность рассеяния многих типов полупроводниковых приборов, но и до-пустимые напряжения и сила токов переходов.

Эксплуатация полупроводниковых приборов должна осуществ-ляться только в диапазоне требуемых рабочих температур, при этом относительная влажность должна быть до 98 % при температуре 40 °С; атмосферное давление - от 6,7 • 10² до 3 • 10⁵ Па; вибрация с ускорением до 7,5g в диапазоне частот 10...600 Гц; многократные удары с ускорением до 75g; линейные ускорения до 25g.

Увеличение или уменьшение указанных выше параметров отрицательно влияет на работу полупроводниковых приборов. Так, изменение диапазона рабочих температур вызывает растрескивание кристаллов полупроводников и изменение электрических характеристик приборов. Кроме того, под действием высокой температуры происходят высыхание и деформация защитных покрытий, выделение газов и расплавление припоя. Высокая влажность способствует коррозии корпусов и выводов вследствие электролиза. Низкое давление вызывает уменьшение пробивного напряжения и ухудшение теплопередачи. Изменение ускорения ударов и вибрации приводит к появлению механических напряжений и усталости в элементах конструкций, а также механических повреждений (вплоть до отрыва выводов) и др.

Для защиты от воздействия вибраций и ускорения конструкциях полупроводниковыми приборами должна иметь амортизацию, а для улучшения влагостойкости должна покрываться защитным лаком.