Искусственные переменные гармонические электромагнитные поля

Искусственные переменные гармонические электромагнитные поля создаются с помощью разного рода генераторов синусоидального напряжения звуковой и радиоволновой частоты, подключаемых к гальваническим (заземленные линии) или индуктивным (незаземленные контуры) датчикам (источникам) поля. С помощью других заземленных (приемных) линий или незаземленных контуров измеряются соответственно электрические (E) или магнитные (H) составляющие напряженности поля. Они определяются прежде всего удельным электрическим сопротивлением вмещающей среды. Чем выше сопротивление, тем меньше скин-эффект и больше глубина проникновения поля. С другой стороны, чем ниже сопротивление, тем больше интенсивность вторичных вихревых электромагнитных полей, индуцированных в среде.

Вывод аналитических формул для связи между измеряемыми параметрами (E, H), силой тока в датчике поля ( ), расстоянием между генераторными и измерительными линиями ( ), их размерами и электромагнитными свойствами однородного полупространства очень сложен.

На низких частотах ( кГц) расчет сопротивления однородного полупространства ведется по формуле , где - коэффициент установки, разный для различных способов создания и измерения поля, расстояний между источником и приемником, круговых частот ( ); - разность потенциалов, пропорциональная составляющим E или H. Над неоднородной средой по этой же формуле рассчитывается кажущееся сопротивление ( ).

На высоких частотах ( кГц) формулы для параметров нормального поля более громоздки, так как они зависят от трех электромагнитных свойств среды.