СВОЙСТВА ДИСЛОКАЦИЙ

1. Дислокации способны под действием напряжений перемещаться.

2. Дислокации способны огибать препятствия.

3. Дислокации способны генерироваться.

4. Дислокации способны взаимодействовать друг с другом.

1. Движение и преодоление препятствий.

В качестве препятствий в кристаллах выступают атомные внедрения и примесные атомы. Движение дислокации через участки кристалла с препятствиями связано с её удлинением и резким искажением кристаллической решётки. Это требует дополнительных затрат энергии, поэтому движение дислокаций по чистым участкам значительно легче, чем по участкам, содержащим дефекты; так как перемещение дислокаций по кристаллу приводит к смещению одной части кристалла относительно другой (пластическая деформация), то введение в вещество примесей или создание дефектов приводит к упрочнению материала:

1) упрочнение достигается введением примесей – легирование;

2) создание границ зёрен – закалка;

3) холодное деформирование материалов – наклёп.

2. Генерирование дислокаций (источник Франка-Рида).

3. Взаимодействие дислокаций.

Под действием напряжения сдвига положительные и отрицательные дислокации будут перемещаться в разных направлениях. Если их оси находятся в одной плоскости скольжения, то при встрече они образуют нормальную атомную плоскость – при этом произойдёт самоуничтожение (аннигиляция) дислокаций. Если оси дислокаций находятся в разных плоскостях, то образуется сетка дислокаций.