Влияние кристаллографии


Предыдущие разделы были посвящены пониманию квантования инверсионного слоя с определенной ориентацией кристалла кремния, а именно (100). В этом разделе рассмотрено влияние кристаллографических ориентаций подложки, таких как (100), (110) и (111), на квантование инверсного слоя в наноразмерных МОП-транзисторах. Результаты показывают значительное влияние ориентации кристалла на плотность инверсного заряда.

Энергетические подзоны слоя инверсии поднимаются на разную величину, потому что эффективные массы квантованных электронов различны в трех направлениях, как показано на рис. 9.8. Решение уравнений проведено для различных кристаллографических координат, используя параметры, приведенные в таблице 9.1.

 

 
 
Рис.9.8. Квантование инверсного слоя электронов в зависимости от ориентации кристалла в кремниевой подложке [3]

 

 

Табл.9.1 Изменение квантования электронов в зависимости от ориентации кристалла в кремниевой подложке [3]

Ориентация кристалла Эффективная поперечная масса , - масса свободного электрона
  0,916
  0,315
  0,258


Дата добавления: 2018-05-25; просмотров: 448;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.007 сек.