Влияние кристаллографии
Предыдущие разделы были посвящены пониманию квантования инверсионного слоя с определенной ориентацией кристалла кремния, а именно (100). В этом разделе рассмотрено влияние кристаллографических ориентаций подложки, таких как (100), (110) и (111), на квантование инверсного слоя в наноразмерных МОП-транзисторах. Результаты показывают значительное влияние ориентации кристалла на плотность инверсного заряда.
Энергетические подзоны слоя инверсии поднимаются на разную величину, потому что эффективные массы квантованных электронов различны в трех направлениях, как показано на рис. 9.8. Решение уравнений проведено для различных кристаллографических координат, используя параметры, приведенные в таблице 9.1.
|
Табл.9.1 Изменение квантования электронов в зависимости от ориентации кристалла в кремниевой подложке [3]
Ориентация кристалла | Эффективная поперечная масса , - масса свободного электрона |
0,916 | |
0,315 | |
0,258 |
Дата добавления: 2018-05-25; просмотров: 448;