Общий обзор методов


Можно выделить четыре направления применения экспериментальных методов для решения проблем, связанных с технологией изготовления СБИС:

  • исследование морфологии
  • электрическое топографирование с целью локализации участков повышенных токов утечки и мест возможного пробоя
  • химический анализ
  • изучение кристаллографической структуры и механических свойств

Методы, используемые для решения каждой из этих задач, представлены в табл.1. Символом X помечены ситуации, при которых данный метод является главным источником информации, необходимой для решения конкретной задачи, символом (X) - ситуации, при которых для решения задачи требуется применение специального дополнительного оборудования.

Ряд методов, представленных в табл. 1, основан на облучении образца пучком рентгеновских лучей пли электронов и анализе вторичного излучения. Характеристики таких методов, включая типичные интервалы энергий первичного и вторичного излучений, приведены в табл. 2.

Метод Аббревиатура Исследован. морфологии Химическ. анализ Исследование кристаллогра- фической структуры и механических свойств Электрич. топографи- рование
рус. англ.
Электронная оже-спектроскопия ЭОС AES   X    
Растровая электронная микроскопия в режиме наведенного тока РЭМНТ EBIC       X
Лазерное отражение ЛО LR     X  
Нейтронно- активационный анализ НАА NAA   X    
Оптическая микроскопия в режиме интерференционного контраста по Номарски     X      
Обратное рассеяние Резерфорда ОРР RBS   X (X)  
Растровая электронная микроскопия РЭМ SEM X (X)   (X)
Масс-спектроскопия вторичных ионов МСВИ ВИМС SIMS   X    
Электронография на просвет ЭНП TED     X  
Просвечивающая электронная микроскопия ПЭМ TEM X (X) X (X)
Растровая электронная микроскопия в режиме потенциального контраста РЭМПК VC       X
Рентгеновская дифракция РД XRD     X  
Рентгеновский микроанализ РМА XES   X    
Рентгеновский флюорисцентный анализ РФА XRF   X    
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия РФЭС XPS, ESCA   X    

 

Таблица 1.

 

Первичное излучение Вторичное излучение
Вид излучения Энергия E0, кэВ Электроны Рентгеновские лучи
Вид Энергия, эВ Метод Энергия, эВ Метод
Электроны 2 - 10 Оже Вторичные 20-2000 ЭОС    
2 - 40 < 10 РЭМПК    
2 - 40 Обратнорас- сеянные < E0 РЭМ (ОРР)    
20 - 200     < E0 РМА
Рентгеновские лучи < 2 Первично ионизованные 20-2000 РФЭС    
  < 50       < E0 РФА

 

Таблица 2. Виды вторичного излучения, возбуждаемого в результате облучения поверхности образца электронным или рентгеновским пучком, и применяемые при этом методы исследования.

 

Исследование морфологии пленок

Оптическая микроскопия в режиме
интерференционного контраста
(метод Номарски)

Суть метода - неровности поверхности разной высоты приобретают различную окраску или различный оттенок серого цвета при наблюдении в интерференционном микроскопе.

Пучок света расщепляется с помощью полупрозрачного зеркала на два когерентных световых луча, которые за счет зеркальной системы направляются на две близко расположенные точки поверхности образца. Отразившись от поверхности, лучи вновь собираются вместе и интерферируют. При наличии на поверхности неровности или изменении показателя преломления (в случае фазовой границы) оптическая разность хода лучей меняется. Это изменение обуславливает вариацию интенсивности в восстановленном из двух лучей отраженном пучке, проявляющуюся в виде интерференционного контраста микроскопического изображения.

Данная методика позволяет наблюдать неровности высотой 20 нм.



Дата добавления: 2020-11-18; просмотров: 255;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.008 сек.