Общий обзор методов
Можно выделить четыре направления применения экспериментальных методов для решения проблем, связанных с технологией изготовления СБИС:
- исследование морфологии
- электрическое топографирование с целью локализации участков повышенных токов утечки и мест возможного пробоя
- химический анализ
- изучение кристаллографической структуры и механических свойств
Методы, используемые для решения каждой из этих задач, представлены в табл.1. Символом X помечены ситуации, при которых данный метод является главным источником информации, необходимой для решения конкретной задачи, символом (X) - ситуации, при которых для решения задачи требуется применение специального дополнительного оборудования.
Ряд методов, представленных в табл. 1, основан на облучении образца пучком рентгеновских лучей пли электронов и анализе вторичного излучения. Характеристики таких методов, включая типичные интервалы энергий первичного и вторичного излучений, приведены в табл. 2.
Метод | Аббревиатура | Исследован. морфологии | Химическ. анализ | Исследование кристаллогра- фической структуры и механических свойств | Электрич. топографи- рование | |
рус. | англ. | |||||
Электронная оже-спектроскопия | ЭОС | AES | X | |||
Растровая электронная микроскопия в режиме наведенного тока | РЭМНТ | EBIC | X | |||
Лазерное отражение | ЛО | LR | X | |||
Нейтронно- активационный анализ | НАА | NAA | X | |||
Оптическая микроскопия в режиме интерференционного контраста по Номарски | X | |||||
Обратное рассеяние Резерфорда | ОРР | RBS | X | (X) | ||
Растровая электронная микроскопия | РЭМ | SEM | X | (X) | (X) | |
Масс-спектроскопия вторичных ионов | МСВИ ВИМС | SIMS | X | |||
Электронография на просвет | ЭНП | TED | X | |||
Просвечивающая электронная микроскопия | ПЭМ | TEM | X | (X) | X | (X) |
Растровая электронная микроскопия в режиме потенциального контраста | РЭМПК | VC | X | |||
Рентгеновская дифракция | РД | XRD | X | |||
Рентгеновский микроанализ | РМА | XES | X | |||
Рентгеновский флюорисцентный анализ | РФА | XRF | X | |||
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия | РФЭС | XPS, ESCA | X |
Таблица 1. |
Первичное излучение | Вторичное излучение | |||||
Вид излучения | Энергия E0, кэВ | Электроны | Рентгеновские лучи | |||
Вид | Энергия, эВ | Метод | Энергия, эВ | Метод | ||
Электроны | 2 - 10 | Оже Вторичные | 20-2000 | ЭОС | ||
2 - 40 | < 10 | РЭМПК | ||||
2 - 40 | Обратнорас- сеянные | < E0 | РЭМ (ОРР) | |||
20 - 200 | < E0 | РМА | ||||
Рентгеновские лучи | < 2 | Первично ионизованные | 20-2000 | РФЭС | ||
< 50 | < E0 | РФА |
Таблица 2. Виды вторичного излучения, возбуждаемого в результате облучения поверхности образца электронным или рентгеновским пучком, и применяемые при этом методы исследования. |
Исследование морфологии пленок
Оптическая микроскопия в режиме
интерференционного контраста
(метод Номарски)
Суть метода - неровности поверхности разной высоты приобретают различную окраску или различный оттенок серого цвета при наблюдении в интерференционном микроскопе.
Пучок света расщепляется с помощью полупрозрачного зеркала на два когерентных световых луча, которые за счет зеркальной системы направляются на две близко расположенные точки поверхности образца. Отразившись от поверхности, лучи вновь собираются вместе и интерферируют. При наличии на поверхности неровности или изменении показателя преломления (в случае фазовой границы) оптическая разность хода лучей меняется. Это изменение обуславливает вариацию интенсивности в восстановленном из двух лучей отраженном пучке, проявляющуюся в виде интерференционного контраста микроскопического изображения.
Данная методика позволяет наблюдать неровности высотой 20 нм.
Дата добавления: 2020-11-18; просмотров: 255;