Порядок выполнения работы
1) Исследовать на Ni Elvis II схему исследования биполярного транзистора с ОЭ, представленную на рис. 2.
Рис. 2. Электрическая схема исследования биполярного транзистора
2) Снять входные характеристики при постоянном напряжении Uкэ, заданном преподавателем (0 и 1 В), для схемы с ОЭ. Результаты свести в табл. 1. и представить в виде совмещенного графика.
Т а б л и ц а 1
Результаты измерений
Uкэ= 0 В | Uкэ= 1 В | ||
Uбэ, мВ | Iб, мкА | Uбэ, мВ | Iб, мкА |
3) Снять выходные характеристики при постоянном токе Iб, заданном преподавателем, для схемы с ОЭ. Результаты свести в табл. 2 и представить в виде графика.
Т а б л и ц а 2
Результаты измерений
Iб= мкА | Iб= мкА | Iб= мкА | Iб= мкА | Iб= мкА | |||||
Uкэ, В | Iк, мА | Uкэ, В | Iк, мА | Uкэ, В | Iк, мА | Uкэ, В | Iк, мА | Uкэ, В | Iк, мА |
4) Снять характеристики усилительного каскада на транзисторе (включая осциллограмму входного и выходного сигнала), подобрать входные и выходные параметры, соответствующие нагрузочной прямой и допустимым характеристикам транзистора для усиления в классе А (см. пример на рис. 3).
5) Выполнить моделирование схемы работы усилительного каскада на транзисторе в схеме ОЭ в режиме усиления класса А в программе EWB (см. пример на рис. 4).
6) Выполнить моделирование схемы усилителя с общей базой, с общим коллектором (см. пример на рис. 5).
Рис. 3. Пример работы усилительного каскада на транзисторе в схеме ОЭ в режиме усиления класса А
Рис. 4. Моделирование усилительного каскада на транзисторе в схеме ОЭ
в режиме усиления класса А в EWB
а
б
Рис. 5. Схемы усилителя с общей базой (а), с общим коллектором (б)
Дата добавления: 2020-11-18; просмотров: 303;