Елемент ТТЛШ серії КР1531, КР1533

Елементи ТТЛШ нових серій КР1531 (умовна назва FAST) і КР1533 (умовне позначення ALS) виготовляються за технологією «ізопланар 11», яка використовує іонну імплантацію (точне дозоване впровадження атомів доміш­ки), прецизійну фотолітографію, що дозволяє у вісім разів зменшити площу, яку елементи займають у кристалі. Істотно зменшені споживана потужність і робота перемикання, вхідні струми при низьких рівнях напруги (І_IL≤0,1 мА). Схема типового елемента ТТЛШ серії КР1531 показана на рис. 2.17. Елемент реалізує операцію НЕ І для двох змінних Х₁ і Х₂.

У розглянутому елементі на виході діодної схеми збігу увімкнутий дода­тковий підсилювач на транзисторі VT1. При збігу високих вхідних рівнів нап­руги діоди VD3 і VD4 закриваються, а транзистор VT1 відкривається. Струм емітера створює на резисторі R8 падіння напруги, яке керує фазоінверсним кас­кадом. Додаткові діоди VD6 і VD7 ємнісними струмами своїх переходів прис­корюють процес перемикання транзистора VT1.

У елементах серії КР1533 (рис. 2.18) як діоди схеми збігу використову­ють емітерні переходи p-n-p транзистора VT7 і VT8. Переходи закриті при співпадінні високих рівнів напруг на входах; відкриваються транзистори VT1,
VT2, VT5 і VT6. Якщо хоча б на один із входів подано низький рівень, то струм, що протікає через резистор R1, замикається на загальний вивід по колу емітер – колектор p-n-p транзистора. Внаслідок цього транзистори VT1, VT2, VT5 і VT6 закриваються, а VT3, VT4 – відкривається. Застосування схеми збігу на перехо­дах p-n-p транзисторів дозволило, в порівнянні із ТТЛШ серії КР1531, зменши­
ти у 20 разів вхідний струм І_IL, що виходить із входів.