Работа выхода электронов из металла

Как показывает опыт, свободные электроны при обычных температурах практически не покидают металл. Следовательно в поверхностном слое металла должно быть задерживающее электрическое поле, препятствующее выходу электронов из металла в окружающий вакуум. Работа, которую нужно затратить для удаления электрона из металла в вакуум, называется работой выхода. Укажем 2 вероятные причины появления работы выхода:

1. Если электрон по какой-то причине удаляется из металла, то в том месте, которое электрон покинул, возникает избыточный положительный заряд и электрон притягивается к индуцированному им самим положительному заряду.

2. Отдельные электроны, покидая металл, удаляются от него на расстояние порядка атомных, и создают тем самым над поверхностью металла “электронное облако”, плотность которого резко убывает с расстоянием. Это облако вместе с наружным слоем положительных ионов решётки образует двойной электрический слой, поле которого подобно полю плоского конденсатора. Толщина этого слоя равна нескольким межатомным расстояниям ( м). Он не создаёт электрического поля во внешнем пространстве, но препятствует выходу свободных электронов из металла.

Таким образом, электрон при вылете из металла должен преодолеть задерживающее его электрическое поле двойного слоя. Разность потенциалов в этом слое называется поверхностным скачком потенциала, определяется работой выхода электрона из металла:

,

где - заряд электрона. Так вне двойного слоя электрическое поле отсутствует, то потенциал среды равен нулю, а внутри металла потенциал положителен, и равен . Потенциальная энергия свободного электрона внутри металла равна и является относительно вакуума отрицательной. Исходя из этого можно считать, что весь объём металла для электронов проводимости представляет потенциальную яму с плоским дном, глубина которой равна работе выхода .

Работа выхода выражается в электрон-вольтах (эВ): 1 эВ равен работе, совершаемой силами поля при перемещении элементарного электрическогозарядапри прохождении им разности потенциалов в 1 В. Так как заряд электрона равен Кл, то 1 эВ = Дж.

Эмиссионные явления и их применение

Если сообщить электронам в металлах энергию, необходимую для преодоления работы выхода, то часть электронов может покинуть металл, в результате чего наблюдается явление испускания электронов, или электронной эмиссии. В зависимости от способа сообщения электронам энергии различают термоэлектронную, фотоэлектронную, вторичную электронную и автоэлектронную эмиссии.

1. Термоэлектронная эмиссия –это испускание электронов нагретыми металлами. Концентрация свободных электронов в металлах достаточно высока, поэтому даже при средних температурах вследствие распределения электронов по скоростям некоторые электроны обладают энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера на границе металла. С повышением температуры число электронов, кинетическая энергия теплового движения которых больше работы выхода, растёт и явление термоэлектронной эмиссии становится заметным.

Исследование зависимостей термоэлектронной зависимости можно привести с помощью простейшей двухэлектродной лампы – вакуумного диода, представляющего собой откачанный баллон, содержащий 2 электрода: катод K и анод А. В простейшем случае катодом служит нить из тугоплавкого металла, накаливаемая электрическим током. Анод чаще всего имеет форму металлического цилиндра, окружающего катод. Если диод включить в цепь, как это показано на рисунке 1, то при накаливании катода и подачи на анод положительного напряжения (относительно катода) в анодной цепи возникает ток. Если поменять полярность батареи Б_а, то ток прекращается, как бы сильно катод не накаливали. Следовательно катод испускает отрицательные частицы – электроны.

Если поддерживать температуру накаленного катода постоянной и снять зависимость анодного тока от анодного напряжения - вольт-амперную характеристику (рис 2.), то оказывается, что она не является линейной, т. е. для вакуумного диода закон Ома не выполняется.

Зависимость термоэлектронного т ока от анодного описываетсязаконом трёх вторых:

,

где - коэффициент, зависящий от формы и размеров электродов, а также от их взаимного расположения.

При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого максимального значения , называемоготоком насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряжённости поля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщенияхарактеризует эмиссионную способностьматериала катода.Плотность тока определяется формулой Ричардсона – Дешмана,выведенной теоретически на основе квантовой статистики:

,

где - работа выхода электронов из катода, - термодинамическая температура, - постоянная, теоретически одинаковая для всех металлов.

На рисунке 2 представлены ВАХ для двух температур катода: и , причём . С повышением температуры катода испускание электронов с катода интенсивнее, при этом увеличивается и ток насыщения. При наблюдается анодный ток, т. е. некоторые электроны, эмитируемые катодом, обладают энергией, достаточной для преодоления работы выхода и достиженияанода без приложения электрического поля.

2. Фотоэлектронная эмиссия –это эмиссия электронов из металла под действием света, а также коротковолнового электромагнитного излучения.

3. Вторичная электронная эмиссия – это испускание электронов поверхностью металлов, полупроводников или диэлектриков при бомбардировке их пучком электронов. Вторичный электронный поток состоит из электронов, отражённых поверхностью, и “истинно” вторичных электронов – электронов, выбитых из металла, полупроводника или диэлектрика первичнымиэлектронами.

Отношение числа вторичных электронов к числу первичных вызвавших эмиссию, называетсякоэффициентом вторичной электронной эмиссии:

.

Коэффициент зависит от природы материала поверхности, энергии бомбардирующих частиц и угла падения на поверхность. У полупроводников и диэлектриков больше, чем у металлов.

4. Автоэлектронная эмиссия –это эмиссия электронов с поверхности металлов под действием сильного внешнего электрического поля. Объяснение механизма этого механизма возможно лишь на основе квантовой теории.