Реагируют на электромагнитное излучения, падающее на поверхность

преобразующего элемента.

Фотопроводящее Солнечный

преобразование. элемент.

У ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЙ сопротивление является обратной функцией интенсивности облучения. Значение сопротивления при полном облучении = 100-200 Ом, и в полной темноте десятки Ом.

Для изготовления фоторезисторов используется сульфид калия или

селенит калия.

СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ превращают излучаемую эл. маг. ЭНЕРГИЮ

В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ, Т.Е. В ИЗМЕНЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ.

Конструкция преобразователя включает в себя слой фоточувствительного высокоомного материала, размещенного между двумя проводящими электродами. Один из электродов выполнен из прозрачного материала, через который проходит излучения и попадает на фоточувствительный материала. При полном освещении один элемент вырабатывает выходное напряжение между электродами =0.5 В.

ФОТОДЕКТОРЫ.

Предназначены для фиксации изменений параметров светового излучения (фотодиоды, фототранзисторы, PIN-диоды)

В фотодиодах используется эффект облучения p-n перехода с отрицательным смещением. При наличии облучения изменяется ток, протекающий через переход. Реакция=1-5 нС.

PIN-диоды – фотодиоды в которых между слоями p-n.

n-типа имеется слой беспримесных полупроводника что повышает чувствительность к световому излучению и уменьшает емкость перехода, следовательно более быстрая реакция на изменения уровня облучения.

В ФОТОТРАНЗИСТАРАХ – свет, падающий на переход коллектор - базы, вызывает в базе фототок, который усиливается с коэффициентом усиления.

Транзистора, что ведет к большому току эмиттера.

При этом ток эмиттера

IE = (1+hFE) IF

где hEF –коэффициент усиления транзистора по постоянному току.

IF - фототок базы.

Для достижения более высокого усиления используют фотодетекторы Дарлингтона, содержащие в себе фототранзистор и транзистор с высоким коэффициентом усиления.

ДАТЧИК ХОЛЛА.

Когда проводник с протекающим по нему током помещается в магнитное поле так, что направление тока оказывается перпендикулярным магнитным силовым линиям, то образуется поперечное электрическое поле, пропорциональное произведению плотности магнитного потока и силы электрического тока.

Величина этого электрического поля.

E= - RH ( I B ) ,

где RH = 1/ne –коэффициент Холла

n e –число зарядов, протекающих через единицу объема и образующих электроток в проводнике или полупроводника;

e – заряд носителя зарядов.