От конструктивного параметра

S /L диффузионной системы

S / L

- увеличение расстояния Dd d

подложкам l также как и

увеличение скорости потока ПГС

w приводит к снижению величины

Dd и одновременному росту d

Рис. 9. Зависимость Dd и d

Шага расположения подложек

в зоне осаждения l l (w)

изменение температуры процесса осаждения Т приводитк изменению константы скоростихимической реакции k₁ ( k ₁ ~ exp (- E / kT)) и коэффициента диффузии D ( D ~ ( T / 273 ) ^1,75) , а вместе с ними изменяются и скорость осаждения J, толщина осаждаемого слоя d и неравномерность толщины осаждаемого слоя Dd , т. е.

- увеличение температуры Dd d , J

процесса приводит к росту:

скорости J , толщины слоя

осаждения d и его неравно-

мерности D d

Рис. 10. Зависимость Dd,

D и J от температуры процесса

Т ( технологического параметра) Т

- увеличение начальной Dd d

концентрации реагентов ПГС

приводят к росту толщины

осаждаемого слоя d и ее

неравномерности D d

Рис. 11 Зависимость Dd,

D от технологического