Легирование и автолегирование при эпитаксии
Изучение процесса легирования включает рассмотрение особенностей эпитаксии, например массопереноса и химических процессов. Для легирования обычно используют гидриды примесных элементов. В среде водорода указанные гидриды относительно устойчивы, что согласуется с термодинамическими расчетами. Химические свойства легирующих соединений удобно рассмотреть на примере арсина как наиболее типичного представителя таких соединений.
Процессы, проходящие на поверхности кремния при осаждении:
- Адсорбция арсина на поверхности,
- Диссоциация молекулы,
- Встраивание мышьяка в растущий слой
2AsH3 тв 2As газ + 3H2 газ 2As тв 2As+тв + 2e-
Существует тесная взаимосвязь между процессами роста и легирования. Во-первых, при легировании бором и мышьяком идет параллельная реакция образования их хлоридов.
Во-вторых, скорость роста влияет на количество встраиваемой в эпитаксиальный слой примеси. При низких скоростях роста между твердой и газообразной фазами устанавливается равновесие, недостижимое при высоких скоростях роста.
Также имеет место явление автолегирования. Автолегирование - явление, при котором кроме намеренно вводимой примеси в слой входят и неконтролируемые примеси из подложки. Механизм автолегирования следующий: примеси внедряются в растущий эпитаксиальный слой за счет твердотельной диффузии через границу слой-подложка, а также за счет испарения и переноса через газовую фазу.
Автолегирование проявляется как увеличение ширины переходной области между слоем и подложкой.
Форма профиля легирования вблизи границы раздела определяется в основном твердотельной диффузией из подложки и описывается дополнительной функцией ошибок, если v>2(D/t)1/2, где
v - скорость роста,
D - коэффициент диффузии примеси в кремнии,
t - время нанесения.
Некоторые важные особенности явления автолегирования:
- Автолегирование - это явление, тесно связанное с временными параметрами процесса. Испарение примеси с поверхности компенсируется твердотельной диффузией примеси из объема подложки. Таким образом, скорость испарения с незащищенной поверхности не постоянна, а уменьшается со временем.
- Когда автолегирование меньше уровня легирования эпитаксиального слоя, профиль в области В становится плоским. Размер хвоста на профиле легирования зависит от вида легирующей примеси и параметров процесса: температуры и скорости роста. Автолегирование ограничивает минимальную толщину слоев, которая может быть получена управляемым легированием при его минимальном уровне.
- Если поток легирующей примеси в реактор резко прервать, это не приведет к быстрому изменению уровня легирования, что указывает на большую инертность процесса легирования.
В добавление к химической отмывке подложек непосредственно перед нанесением эпитаксиального слоя обычно проводят газофазное травление.
Газофазное травление проводится безводным HCl при температуре 1200 градусов Цельсия, при этом идут реакции:
2HCl + Si SiCl2 + 2H2,
4HCl + Si SiCl4 + 2H2.
Для травления подложек были предложены и другие газы: HBr или SF6. Использование HCl выгодно отличается тем, что он легко компримируемый газ. HCl вводится в основной поток водорода с концентрацией 2-3 процента. Скорость травления - несколько десятых микрона в минуту, а толщина стравливаемого кремния для подложек без скрытого слоя достигает 5 мкм. Когда требуется сохранить низкое значение поверхностного сопротивления скрытых слоев, толщина стравливаемого кремния составляет 0,1 - 0,3 мкм. В результате травления поверхность подложки становится достаточно чистой, свободной от естественного окисла.
Однако этот процесс не может заменить предэпитаксиальной химической отмывки. Вместо травления в газовой фазе допускается проведение высокотемпературного отжига подложек в атмосфере водорода (в течение 10 мин при 1200 °C).
Дата добавления: 2020-11-18; просмотров: 307;